[发明专利]一种芯片双面封装结构及其制造方法

说明书

本发明涉及一种芯片双面封装结构及其制造方法。封装结构包括：存储器芯片堆栈体设置在基板上，第一重布线层形成存储器芯片堆栈体上；缓存芯片设置在基板的表面；端子设置于基板上；第一塑封体密封存储器芯片堆栈体；第二塑封体密封缓存芯片及端子与基板连接处。制造方法包括：将存储器芯片堆栈体设置在基板上；形成第一塑封体密封存储器芯片堆栈体；缓存芯片设置在基板上；形成第二塑封体密封缓存芯片；对缓存芯片和第二塑封体进行薄化；对第二塑封体进行钻孔，在钻孔中植入与金属垫连接的端子并焊接固定。本发明的芯片堆栈立体封装结构整体结构尺寸小，信号传输距离短，且能够根据使用需要对性能灵活配置。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种芯片双面封装结构及其制造方法。

背景技术

在现有的多芯片封装结构中，各芯片均是封装在基板的一侧，如图1所示，现有的多芯片堆栈封装结构包括基板200，在基板200的一侧表面设置有缓存芯片201，缓存芯片201通过重布线层202与基板200电性连接，在缓存芯片201的表面堆栈设置有存储器芯片203，在基板200的该侧表面形成有塑封体204，以密封缓存芯片201和存储器芯片203，从而形成单面模封型态。在基板200的另一侧表面设置有球栅阵列端子205，球栅阵列端子205通过基板200电性连接缓存芯片201和存储器芯片203，球栅阵列端子205通过位于基板200中的导线206与存储器芯片203、缓存芯片201电性沟通。由于存储器芯片203和缓存芯片201堆栈在基板200同一侧，因此导致封装结构的厚度变大。同时通过上述方式制造的封装结构需要在生产过程中一次性实现完整封装，因此不仅造成生产周期过长，而且芯片功能配置的灵活性差，无法根据用户需要实时调整各芯片的型号和种类，不能够满足个性化订购的需求。

在背景技术中公开的上述信息仅用于加强对本发明的背景的理解，因此其可能包含没有形成为本领域普通技术人员所知晓的现有技术的信息。

发明内容

有鉴于此，本申请实施例希望提供一种芯片双面封装结构及其制造方法，以至少解决现有技术中存在的问题。

本申请实施例的技术方案是这样实现的，根据本申请的一个实施例，提供一种芯片双面封装结构，包括：

基板，具有相对设置的第一表面和第二表面；

存储器芯片堆栈体，覆晶接合方式设置在所述基板的所述第一表面上，主要由多个存储芯片堆栈组成，所述存储器芯片堆栈体具有一安装表面；

第一重布线层，形成于所述存储器芯片堆栈体的所述安装表面上，电性连接各所述存储芯片至所述基板；

缓存芯片，覆晶接合方式设置在所述基板的所述第二表面的中央区域；

端子，设置于所述基板的所述第二表面上；及

第一塑封体和第二塑封体；所述第一塑封体形成于所述基板的所述第一表面上，密封所述存储器芯片堆栈体；所述第二塑封体形成于所述基板的所述第二表面上，密封所述缓存芯片及所述端子与所述基板的所述第二表面的连接位置处，构成双面模封型态。

在一些实施例中，所述基板包括电性贯穿所述基板的导通线路和在所述第二表面上的扇出线路，所述导通线路电性连接所述缓存芯片和所述端子至所述第一重布线层，所述扇出线路电性连接所述缓存芯片至所述端子。

在一些实施例中，每一所述存储芯片上均包括有多个用于电性沟通的导电穿孔，所述第一重布线层电性连接各所述导电穿孔至所述基板。

在一些实施例中，各所述存储芯片通过设置在各所述导电穿孔端部的第一凸块相互电性连接。

在一些实施例中，还包括第一底胶，形成于所述存储器芯片堆栈体与所述基板的所述第一表面之间。

在一些实施例中，所述端子包含设置在所述缓存芯片外围的多个焊球。