[发明专利]半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置的制造方法，包括：

形成一栅极堆叠于一基底上；

成长一源极/漏极区相邻于该栅极堆叠，该源极/漏极区为N型掺杂的硅(Si)；

成长一半导体盖层于该源极/漏极区上，该半导体盖层具有锗(Ge)杂质，该源极/漏极区不含锗杂质；

沉积一金属层于该半导体盖层上；

对该金属层和该半导体盖层实施一退火，以形成一硅化物层于该源极/漏极区上，该硅化物层具有锗杂质，该退火包括实施多个退火工艺，所述多个退火工艺中的每一个连续的退火工艺比前一个退火工艺在更高的温度中实施，其中在所述多个退火工艺的一最后退火工艺之后，该半导体盖层中大致全部的锗杂质聚集至该硅化物层；以及

形成一金属接触电性耦接至该硅化物层。

2.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中对该金属层和该半导体盖层实施该退火消耗全部的该半导体盖层。

3.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中对该金属层和该半导体盖层实施该退火不消耗全部的该半导体盖层。

4.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中该源极/漏极区掺杂磷。

5.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中该半导体盖层掺杂磷。

6.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中该硅化物层的该锗杂质的浓度为1％到20％。

7.如权利要求6所述的半导体装置的制造方法，其中在该硅化物层中最大浓度的该锗杂质位于从该硅化物层的顶面之1nm到10nm的深度。

8.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，更包括:

形成一层间介电质于该源极/漏极区上；以及

在该层间介电质中形成一开口，该开口露出该源极/漏极区的顶面，其中该源极/漏极区的成长和该半导体盖层的成长在原位(in situ)实施。

9.一种半导体装置的制造方法，包括：

形成一栅极堆叠于一基底上；

成长一源极/漏极区相邻于该栅极堆叠，该源极/漏极区为N型掺杂的硅；

形成一层间介电质于该源极/漏极区上；

在该层间介电质中形成一开口，该开口露出该源极/漏极区；

在该开口内和该源极/漏极区上成长一半导体盖层，该半导体盖层为硅锗(SiGe)或硅锗磷(SiGeP)；

沉积一金属层于该开口内和该半导体盖层的顶面上；

对该金属层和该半导体盖层实施一退火，以形成一硅化物层于该源极/漏极区上，其中对该金属层和该半导体盖层实施该退火消耗全部的该半导体盖层；以及

形成一金属接触电性耦接至该硅化物层。

10.如权利要求9所述的半导体装置的制造方法，其中该硅化物层的锗(Ge)浓度为1％到20％。

11.如权利要求10所述的半导体装置的制造方法，其中在该硅化物层中最大浓度的锗在1nm到10nm的深度。

12.如权利要求9所述的半导体装置的制造方法，其中该金属层和该半导体盖层的该退火包括实施多个退火工艺，所述多个退火工艺中的每一个连续的退火工艺在更高的温度中实施。

13.如权利要求12所述的半导体装置的制造方法，其中该硅化物层为二硅化钛(TiSi₂)，且在所述多个退火工艺的一最后退火工艺的过程中，该半导体盖层中的锗聚集在二硅化钛(TiSi₂)的一晶粒边界。