[发明专利]半导体装置的制造方法

说明书

半导体装置的制造方法包含形成栅极堆叠于基底上；成长源极/漏极区相邻于栅极堆叠，源极/漏极区为N型掺杂的硅；于源极/漏极区上成长半导体盖层，半导体盖层具有锗杂质，源极/漏极区不含锗杂质；沉积金属层于半导体盖层上；将金属层和半导体盖层退火，以在源极/漏极区上形成硅化物层，硅化物层具有锗杂质；以及形成金属接触电性耦接至硅化物层。

技术领域

本公开实施例涉及半导体技术，特别涉及半导体装置的结构及其制造方法。

背景技术

半导体装置使用于各种电子应用中，例如个人电脑、手机、数码相机和其它电子设备。半导体装置的制造通常是通过依序地沉积绝缘或介电层、导电层和半导体层的材料于半导体基底上，以及使用光刻和蚀刻工艺将各种材料层图案化，以形成电路组件和元件于半导体基底上。

半导体产业通过持续缩减最小部件的尺寸，以达到持续改善各种电子元件(例如晶体管、二极管、电阻器、电容等等)的集成密度，使得更多元件被整合至给定的区域。然而，随着最小部件的尺寸缩小，在每一个使用的工艺中产生额外的问题，这些额外的问题应被克服。

发明内容

根据一些实施例，提供半导体装置的制造方法，此方法包含形成栅极堆叠于基底上；成长源极/漏极区相邻于栅极堆叠，源极/漏极区为N型掺杂的硅；成长半导体盖层于源极/漏极区上，半导体盖层具有锗杂质，源极/漏极区不含锗杂质；沉积金属层于半导体盖层上；将金属层和半导体盖层退火，以在源极/漏极区上形成硅化物层，硅化物层具有锗杂质；以及形成金属接触电性耦接至硅化物层。

根据另一些实施例，提供半导体装置的制造方法，此方法包含形成栅极堆叠于基底上；在第一成长步骤中，成长源极/漏极区相邻于栅极堆叠，源极/漏极区为N型掺杂的硅；在第一成长步骤后，于第二成长步骤中，在源极/漏极区上成长半导体盖层，第一成长步骤和第二成长步骤是在原位(in situ)实施而不破坏真空，半导体盖层为硅锗(SiGe)或硅锗磷(SiGeP)；形成层间介电质于半导体盖层和源极/漏极区上；在层间介电质中形成开口，开口露出半导体盖层的顶面；在开口中和半导体盖层的顶面上沉积金属层；将金属层和半导体盖层退火，以形成硅化物层于源极/漏极区上；以及形成金属接触电性耦接至硅化物层。

根据又一些实施例，提供半导体装置的制造方法，此方法包含形成栅极堆叠于基底上；成长源极/漏极区相邻于栅极堆叠，源极/漏极区为N型掺杂的硅；形成层间介电质于源极/漏极区上；在层间介电质中形成开口，开口露出源极/漏极区；在开口中和源极/漏极区上成长半导体盖层，半导体盖层为硅锗(SiGe)或硅锗磷(SiGeP)；沉积金属层于开口中和半导体盖层的顶面上；将金属层和半导体盖层退火，以形成硅化物层于源极/漏极区上；以及形成金属接触电性耦接至硅化物层。

附图说明

为了让本公开实施例的各个观点能更明显易懂，以下配合所附附图作详细说明。应该注意，根据工业中的标准范例，各个部件(features)未必按比例绘制。实际上，为了清楚的讨论，各种部件的尺寸可以被任意增大或减小。

图1是根据一些实施例，以三维图说明鳍式场效晶体管的示范例。

图2-图6、图7A-图17A、图7B-图17B、图18A-图18C、图19A-图19B、图20A-图20C、图21A-图23A及图21B-图23B是根据一些实施例所绘示的制造鳍式场效晶体管的各个中间阶段的剖面示意图。

附图标记说明：

50～基底；

50B～第一区；

50C～第二区；

52、56～鳍；

54～隔离区；

58～虚设介电层；

60～虚设栅极层；

62～掩模层；