[发明专利]增进微影可印性的方法

权利要求书

1.一种用于增进微影可印性的方法，包括下列步骤：

接收一集成电路设计布局；以及

使用该集成电路设计布局，进行一光源电子束最佳化制程以产生一掩模射域图以及一照射光源图，其中该光源电子束最佳化制程使用一光源电子束最佳化模型，该光源电子束最佳化模型同时共同使用该掩模射域图模拟一掩模制作制程以及使用该照射光源图模拟一晶圆制作制程，

其中该光源电子束最佳化制程产生该掩模射域图与该照射光源图，使一预测最终晶圆图案与一目标晶圆图案之间的差异最小化，

其中该光源电子束最佳化模型产生该预测最终晶圆图案作为模拟的该掩模制作制程与模拟的该晶圆制作制程的函数如下表示：

P(x,y)＝Γ(I(S(x,y),Φ(mf(x,y))) )

其中P(x，y)是该预测最终晶圆图案，其定义在由模拟的该晶圆制作制程所产生的一晶圆材料层中形成的一最终晶圆图案的轮廓，

Γ是一晶圆图案化函数，其定义与模拟的该晶圆制作制程相关的一微影制程的多个微影制程特性，

I是一投影晶圆图像函数，其定义在与该微影制程相关的一曝光制程期间在一光致抗蚀剂层上的一掩模的一图像，

S(x，y)是该照射光源图，其定义用以在模拟的该晶圆制作制程期间照射该掩模的多个照射光源光学件，

Φ是一掩模图案化函数，其定义与模拟的该掩模制作制程相关的多个微影制程特性，

m_f(x，y)是该掩模射域图，其定义用以在模拟的该掩模制作制程期间制作该掩模的一曝光图案，

其中该光源电子束最佳化模型系用于该光源电子束最佳化制程期间，以定义使预测的该最终晶圆图案与该目标晶圆图案之间的差异最小化的一最佳化问题，如下式所示：

其中P是该预测最终晶圆图案，并且T基于该集成电路设计布局定义该目标晶圆图案的轮廓。

2.如权利要求1所述的用于增进微影可印性的方法，其中该光源电子束最佳化制程从模拟的该掩模制作制程与模拟的该晶圆制作制程中产生该预测最终晶圆图案，并且该目标晶圆图案由该集成电路设计布局定义。

3.如权利要求2所述的用于增进微影可印性的方法，该光源电子束最佳化制程包括调整该掩模射域图与该照射光源图，直到该预测最终晶圆图案与该目标晶圆图案之间达到一预期匹配度为止。

4.如权利要求1所述的用于增进微影可印性的方法，还包括使用该掩模射域图制作该掩模，其中该掩模包括对应于与该掩模射域图相关的一掩模图案的一最终掩模图案，并且该掩模图案对应于由该集成电路设计布局定义的该目标晶圆图案。

5.如权利要求4所述的用于增进微影可印性的方法，其中该掩模射域图为一电子束照射图，并且该制作该掩模的步骤包括使用该电子束照射图进行一电子束微影制程。

6.如权利要求5所述的用于增进微影可印性的方法，还包括通过将该集成电路设计布局切割成多个掩模区域来产生该掩模图案，其中该电子束照射图定义用于图案化该掩模上的该等掩模区域的每一者的一曝光剂量及/或一曝光形状。

7.如权利要求1所述的用于增进微影可印性的方法，还包括使用该照射光源图制作一晶圆，其中该晶圆包括对应于由该集成电路设计布局定义的该目标晶圆图案的该最终晶圆图案。

8.如权利要求7所述的用于增进微影可印性的方法，该制作该晶圆的步骤包括进行该曝光制程，该曝光制程利用由该照射光源图定义的该等照射光源光学件照射该掩模。

9.如权利要求8所述的用于增进微影可印性的方法，其中在该曝光制程期间使用的该掩模可使用该掩模射域图来制作。

10.如权利要求1所述的用于增进微影可印性的方法，其中使用该集成电路设计布局的一部分来进行该光源电子束最佳化制程，以产生该照射光源图。