[发明专利]一种多晶硅上接触孔高阻值缺陷检测方法

权利要求书

1.一种多晶硅上接触孔高阻值缺陷检测方法，其特征在于，包括：

晶圆流片到有源区衬底结构图形，并对测试结构进行阱离子注入；

晶圆流片到多晶硅结构图形，并对测试结构进行源漏极离子注入；

晶圆流片到接触孔结构图形，并通过共享接触孔使有源区衬底和多晶硅连通；

钨接触孔平坦化工艺后，对晶圆进行介电层沉积；

介电层沉积工艺后，使用电子束扫描检测测试区域缺陷。

2.根据权利要求1所述的多晶硅上接触孔高阻值缺陷检测方法，其特征在于，所述阱离子注入采用N阱离子注入或P阱离子注入。

3.根据权利要求1所述的多晶硅上接触孔高阻值缺陷检测方法，其特征在于，所述源漏极离子注入采用硼离子注入或磷离子注入源漏极。

4.根据权利要求2和3所述的多晶硅上接触孔高阻值缺陷检测方法，其特征在于，通过阱离子注入以及源漏极离子注入后，使测试结构产生如下的器件结构：NWELL/NMOS，PWELL/NMOS或者PWELL/PMOS结构。

5.根据权利要求2和3所述的多晶硅上接触孔高阻值缺陷检测方法，其特征在于，通过阱离子注入以及源漏极离子注入后，使测试结构在后续的电子束负电势条件下电子可以向衬底流动。

6.根据权利要求1所述的多晶硅上接触孔高阻值缺陷检测方法，其特征在于，所述离子注入、粘结层工艺及接触孔的关键工艺与尺寸均模拟被检测产品，或者针对某些工艺进行不同条件的测试。

7.根据权利要求1所述的多晶硅上接触孔高阻值缺陷检测方法，其特征在于，所述被检测的接触孔位于多晶硅上，多晶硅通过共享接触孔与衬底连通，衬底进行上述离子注入，接触孔与多晶硅、多晶硅与衬底、被检测接触孔和共享接触孔相互之间可采用不同的位置关系。

8.根据权利要求1所述的多晶硅上接触孔高阻值缺陷检测方法，其特征在于，所述介电层选择硅的氮化物或硅的氧化物或者二者的混合物。

9.根据权利要求1所述的多晶硅上接触孔高阻值缺陷检测方法，其特征在于，所述介电层的沉积厚度为100A～600A。

10.根据权利要求1所述的多晶硅上接触孔高阻值缺陷检测方法，其特征在于，所述电子束扫描检测应用电子束扫描机台对晶圆进行缺陷检测，其应用较大电流条件，所述较大电流大于70nA。