[发明专利]像素界定层及制造方法、显示面板及制造方法、显示装置有效
申请号: | 201710761649.9 | 申请日: | 2017-08-30 |
公开(公告)号: | CN107393939B | 公开(公告)日: | 2020-04-17 |
发明(设计)人: | 张玉欣;程鸿飞 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L27/32;H01L33/00;H01L51/56 |
代理公司: | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人: | 滕一斌 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 像素 界定 制造 方法 显示 面板 显示装置 | ||
1.一种像素界定层的制造方法,其特征在于,所述方法包括:
提供一衬底基板;
在所述衬底基板上形成矩阵状排布的多个绝缘的像素界定图案;
其中,每个所述像素界定图案包括第一子界定图案和第二子界定图案,所述第二子界定图案嵌套设置在所述第一子界定图案内,且所述第二子界定图案的外边缘与所述第一子界定图案的内边缘连接,所述第一子界定图案的厚度大于所述第二子界定图案的厚度,所述第二子界定图案围成的区域为发光层的发光区域;
所述像素界定图案由感光树脂材料制成,在所述衬底基板上形成矩阵状排布的多个绝缘的像素界定图案,包括:
在所述衬底基板上形成像素界定薄膜层;
从所述像素界定薄膜层远离所述衬底基板的一侧,采用半色调掩膜版对所述像素界定薄膜层进行曝光;
对曝光后的所述像素界定薄膜层进行显影;
对显影后的所述像素界定薄膜层进行烘烤处理,以得到所述像素界定图案;
所述半色调掩膜版包括第一透光区域、第二透光区域和遮光区域,所述第二透光区域为环状区域,所述第一透光区域为所述第二透光区域围成的区域,且所述第一透光区域的透光度大于所述第二透光区域的透光度,所述遮光区域为所述第二透光区域外围的区域,所述采用半色调掩膜版对所述像素界定薄膜层进行曝光,包括:
通过所述半色调掩膜版的透光区域对所述像素界定薄膜层进行曝光,使曝光后的像素界定薄膜层形成与所述第一透光区域对应的第一曝光区域,以及与所述第二透光区域对应的第二曝光区域;
其中,所述第一曝光区域在显影后的厚度为0,所述第二曝光区域在显影后的厚度为x,x>0。
2.一种像素界定层的制造方法,其特征在于,所述方法包括:
提供一衬底基板;
在所述衬底基板上形成矩阵状排布的多个绝缘的像素界定图案;
其中,每个所述像素界定图案包括第一子界定图案和第二子界定图案,所述第二子界定图案嵌套设置在所述第一子界定图案内,且所述第二子界定图案的外边缘与所述第一子界定图案的内边缘连接,所述第一子界定图案的厚度大于所述第二子界定图案的厚度,所述第二子界定图案围成的区域为发光层的发光区域;
所述像素界定图案由感光树脂材料制成,在所述衬底基板上形成矩阵状排布的多个绝缘的像素界定图案,包括:
在所述衬底基板上形成像素界定薄膜层;
从所述像素界定薄膜层远离所述衬底基板的一侧,采用半色调掩膜版对所述像素界定薄膜层进行曝光;
对曝光后的所述像素界定薄膜层进行显影;
对显影后的所述像素界定薄膜层进行烘烤处理,以得到所述像素界定图案;
所述半色调掩膜版包括第一透光区域、第二透光区域、第三透光区域和遮光区域,
所述第二透光区域和所述第三透光区域组成一环状区域,所述第一透光区域为所述环状区域围成的区域,所述第一透光区域的透光度大于所述第二透光区域的透光度,所述第二透光区域的透光度大于所述第三透光区域的透光度,所述遮光区域为所述环状区域外围的区域,所述采用半色调掩膜版对所述像素界定薄膜层进行曝光,包括:
通过所述半色调掩膜版的透光区域对所述像素界定薄膜层进行曝光,使曝光后的像素界定薄膜层形成与所述第一透光区域对应的第一曝光区域、与所述第二透光区域对应的第二曝光区域以及与所述第三透光区域对应的第三曝光区域;
其中,所述第一曝光区域在显影后的厚度为0,所述第二曝光区域在显影后的厚度为x,所述第三曝光区域在显影后的厚度为y,y>x>0。
3.一种像素界定层,其特征在于,所述像素界定层由权利要求1所述的像素界定层的制造方法制造而成,所述像素界定层包括:
设置在衬底基板上的矩阵状排布的多个绝缘的像素界定图案;
每个所述像素界定图案包括第一子界定图案和第二子界定图案,所述第二子界定图案嵌套设置在所述第一子界定图案内,且所述第二子界定图案的外边缘与所述第一子界定图案的内边缘连接;
其中,所述第一子界定图案的厚度大于所述第二子界定图案的厚度,所述第二子界定图案围成的区域为发光层的发光区域。
4.根据权利要求3所述的像素界定层,其特征在于,所述第二子界定图案为环状结构,所述环状结构嵌套设置在所述第一子界定图案内,且所述环状结构的外边缘与所述第一子界定图案的内边缘连接。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的