[发明专利]像素界定层及制造方法、显示面板及制造方法、显示装置有效
申请号: | 201710761649.9 | 申请日: | 2017-08-30 |
公开(公告)号: | CN107393939B | 公开(公告)日: | 2020-04-17 |
发明(设计)人: | 张玉欣;程鸿飞 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L27/32;H01L33/00;H01L51/56 |
代理公司: | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人: | 滕一斌 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 像素 界定 制造 方法 显示 面板 显示装置 | ||
本发明公开了一种像素界定层及制造方法、显示面板及制造方法、显示装置,属于显示技术领域。包括:设置在衬底基板上的矩阵状排布的多个绝缘的像素界定图案;每个像素界定图案包括第一子界定图案和第二子界定图案,第二子界定图案嵌套设置在第一子界定图案内,且第二子界定图案的外边缘与第一子界定图案的内边缘连接;其中,第一子界定图案的厚度大于第二子界定图案的厚度,第二子界定图案围成的区域为发光层的发光区域。本发明解决了相关技术中发光层的发光区域厚度不均一,导致显示面板的显示亮度的均一性较差的问题。本发明用于像素界定层及显示面板的制造。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,特别涉及一种像素界定层及制造方法、显示面板及制造方法、显示装置。
背景技术
自发光的显示面板通常包括阳极、发光层和阴极等,例如自发光的显示面板可以包括量子点发光二极管(英文:Quantum Dot Light Emitting Diodes;简称:QLED)显示面板和有机发光二极管(英文:Organic Light-Emitting Diode;简称:OLED)显示面板等。其中,发光层通常包括空穴注入层、空穴传输层、发光材料层、电子传输层和电子注入层等,发光层通常可以采用溶液法制备,例如采用喷墨打印(英文:Ink-Jet Printing;简称:IJP)技术制造发光层。
在制备发光层的过程中,通常需要先在衬底基板上形成像素界定层,然后将溶解有发光层的材料的墨水喷淋到像素界定层所围成的区域内,待墨水溶剂蒸发后形成发光层。
但是,由于墨水会在像素界定层上攀爬,使得像素界定层限定的发光区域中的边缘区域(靠近像素界定层)的厚度大于中间区域的厚度,待墨水溶剂蒸发形成发光层后,会出现咖啡环(英文:coffee ring)现象,导致发光层的发光区域厚度不均一,从而会导致显示面板的显示亮度的均一性较差。
发明内容
本发明实施例提供了一种像素界定层及制造方法、显示面板及制造方法、显示装置,可以解决相关技术中发光层的发光区域厚度不均一,导致显示面板的显示亮度的均一性较差的问题。所述技术方案如下:
第一方面,提供了一种像素界定层,包括:
设置在衬底基板上的矩阵状排布的多个绝缘的像素界定图案;
每个所述像素界定图案包括第一子界定图案和第二子界定图案,所述第二子界定图案嵌套设置在所述第一子界定图案内,且所述第二子界定图案的外边缘与所述第一子界定图案的内边缘连接;
其中,所述第一子界定图案的厚度大于所述第二子界定图案的厚度,所述第二子界定图案围成的区域为发光层的发光区域。
可选的,所述第二子界定图案为环状衬底,所述环状衬底嵌套设置在所述第一子界定图案内,且所述环状衬底的外边缘与所述第一子界定图案的内边缘连接。
可选的,所述像素界定图案还包括设置在所述第二子界定图案上的凸起结构,所述凸起结构的厚度与所述第二子界定图案的厚度之和小于所述第一子界定图案的厚度。
可选的,所述凸起结构为一体结构,或者,所述凸起结构包括沿所述第二子界定图案的延伸方向阵列排布的多个条形结构。
第二方面,提供了一种像素界定层的制造方法,所述方法包括:
提供一衬底基板;
在所述衬底基板上形成矩阵状排布的多个绝缘的像素界定图案;
其中,每个所述像素界定图案包括第一子界定图案和第二子界定图案,所述第二子界定图案嵌套设置在所述第一子界定图案内,且所述第二子界定图案的外边缘与所述第一子界定图案的内边缘连接,所述第一子界定图案的厚度大于所述第二子界定图案的厚度,所述第二子界定图案围成的区域为发光层的发光区域。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的