[发明专利]显示面板、阵列基板及其暗点化方法

权利要求书

1.一种阵列基板，其特征在于，包括：

多条栅极线；

多条数据线，与所述多条栅极线交叉设置，限定出多个像素单元；像素单元，包括像素电极和与所述像素电极连接的薄膜晶体管；遮光电极，与所述像素电极之间设置有绝缘层，所述遮光电极设置在所述数据线上、以遮住所述数据线，所述遮光电极延伸至所述薄膜晶体管的源极或漏极的上方，并与所述源极或漏极重叠，所述像素电极包括主像素电极，所述薄膜晶体管包括与所述主像素电连接的第一薄膜晶体管，所述遮光电极包括第一连接线，所述第一连接线从所述遮光电极上延伸至所述第一薄膜晶体管的第一源极或第一漏极的上方，并与所述第一源极或第一漏极重叠，所述像素电极还包括子像素电极，所述薄膜晶体管还包括与所述子像素电极连接的第二薄膜晶体管，所述遮光电极还包括第二连接线，所述第二连接线从所述遮光电极上延伸至所述第二薄膜晶体管的第二源极或第二漏极的上方，并与所述第二源极或第二漏极重叠。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一连接线和第二连接线平行设置且与所述遮光电极一体成型。

3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括公共电极线，所述薄膜晶体管还包括第三薄膜晶体管，所述第三薄膜晶体管的第三栅极与对应的所述栅极线连接，所述第三薄膜晶体管的第三源极通过过孔与所述子像素电极连接，所述第三薄膜晶体管的第三漏极和所述公共电极线通过过孔连接。

4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述遮光电极由氧化铟锡材料制成。

5.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述像素电极还包括主像素电极和子像素电极，所述薄膜晶体管还包括与所述主像素电连接的第一薄膜晶体管、与所述子像素电极连接的第二薄膜晶体管和第三薄膜晶体管，所述阵列基板还包括公共电极线，

所述第一薄膜晶体管的第一栅极与对应的所述栅极线连接，所述第一薄膜晶体管的第一源极与所述数据线连接，所述第一薄膜晶体管的第一漏极通过过孔与所述主像素电极连接；

所述第二薄膜晶体管的第二栅极与对应的所述栅极线连接，所述第二薄膜晶体管的第二源极与所述数据线连接，所述第二薄膜晶体管的第二漏极通过过孔与所述子像素电极连接；

所述第三薄膜晶体管的第三栅极与对应的所述栅极线连接，所述第三薄膜晶体管的第三源极通过过孔与所述子像素电极连接，所述第三薄膜晶体管的第三漏极和所述公共电极线通过过孔连接；所述遮光电极还包括第一连接线和第二连接线，所述第一连接线从所述遮光电极上延伸至所述第一薄膜晶体管的第一漏极的上方并与所述第一漏极重叠，所述第二连接线从所述遮光电极上延伸至所述第二薄膜晶体管的第二漏极的上方并与所述第二漏极重叠。

6.一种显示面板，其特征在于，包括彩膜基板，所述显示面板还包括如权利要求1至5任一所述的阵列基板。

7.根据权利要求6所述的显示面板，其特征在于，所述彩膜基板上设置有公共电极，所述遮光电极和所述公共电极的电位相同。

8.一种阵列基板的暗点化方法，其特征在于，

所述阵列基板包括：

多条栅极线；

多条数据线，与所述多条栅极线交叉设置，限定出多个像素单元；像素单元，包括像素电极和与所述像素电极连接的薄膜晶体管；遮光电极，与所述像素电极之间设置有绝缘层，所述遮光电极设置在所述数据线上、以遮住所述数据线，所述遮光电极延伸至所述薄膜晶体管的源极或漏极的上方，并与所述源极或漏极重叠；所述阵列基板的暗点化方法包括：

当有像素电极异常时，切断所述像素电极和数据线的连接；

将薄膜晶体管的漏极与遮光电极的重合区域熔断；

将所述遮光电极直接加载至所述像素电极。