[发明专利]显示面板、阵列基板及其暗点化方法

说明书

本发明提供了一种显示面板、阵列基板及其暗点化方法。其中，阵列基板的暗点化方法包括当有像素电极异常时，切断像素电极和数据线的连接；将薄膜晶体管的漏极与遮光电极的重合区域熔断；将遮光电极直接加载至像素电极。本发明方便实现暗点化。

【技术领域】

本发明涉显示技术领域，特别涉及一种显示面板、阵列基板及其暗点化方法。

【背景技术】

液晶显示器具有机身薄、省电、无辐射等众多优点，得到了广泛的应用。现有市场上的液晶显示器大部分为背光型液晶显示器，其包括液晶面板及背光模组(BacklightModule)。液晶面板的工作原理是在两片平行的玻璃基板当中放置液晶分子，并在两片玻璃基板上施加驱动电压来控制液晶分子的旋转方向，以将背光模组的光线折射出来产生画面。

其中，薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor-Liquid CrystalDisplay，TF T-LCD)由于具有低的功耗、优异的画面品质以及较高的生产良率等性能，近年来得到了飞速的发展和广泛的应用。具体而言，TFT-LCD可视为两片玻璃基板中间夹着一层液晶，上层的玻璃基板是彩色滤光片、下层的玻璃基板上设置有薄膜晶体管。当电流通过薄膜晶体管时，产生电场变化，电场的变化引起液晶分子偏转，从而来改变光线的偏极性，而实现预期的显示画面。

随着TFT-LCD的快速发展，像素设计也日益精进，陆续出现了3T技术、DBS(DataLine BM Less)技术。

其中，3T技术具体是三个TFT开关经由同一条栅极线(gate line)控制，在gate打开时，其中两个TFT分别给像素电极(Pixel)的主区(main)与子区(sub)充电，同时第三颗TFT会将一部分已经充入子区的电荷漏至阵列基板的公共电极(Acom)上，拉低子区的电位，即通过保证主区与子区的电位差值来改善大视角。

其中，DBS技术具体是在数据线(Data line)上利用DBS com(DBS电极)的信号线取代传统的BM(Black Matrix，黑矩阵)，从而达到数据线上遮光的效果。DBS技术的应用，可以减小因BM对组不良等因素引起的减小像素开口率的弊端。因此，DBS com的电压成为DBS技术产品暗态品质的关键。

然而，当DBS技术与3T技术结合使用时，一般会将Data line上的DBS com与第三颗TFT漏电的Acom通过过孔连接到一起，即给DBS com与Acom相同电位。在需要进行液晶面板的暗点化时，将像素电极和阵列基板的公共电极熔接，实现暗点化。但是，受第三颗TFT漏电至Acom的影响，Acom无法保持恒定电位，使得Acom与彩膜基板上的CF电极间压差较大，无法顺利完成像素电极的暗点化。

【发明内容】

本发明的一个目的在于提供一种阵列基板，旨在方便实现暗点化。

本发明的另一个目的在于提供一种显示面板，旨在方便实现暗点化。

本发明的又一个目的在于提供一种阵列基板的暗点化方法，旨在方便实现暗点化。

为解决上述问题，本发明的优选实施例提供了一种阵列基板，所述阵列基板包括：

多条栅极线；

多条数据线，与所述多条栅极线交叉设置，限定出多个像素单元；

像素单元，包括像素电极和与所述像素电极连接的薄膜晶体管；

遮光电极，与所述像素电极之间设置有绝缘层，所述遮光电极设置在所述数据线上、以遮住所述数据线，所述遮光电极延伸至所述薄膜晶体管的源极或漏极的上方，并与所述源极或漏极重叠。