[发明专利]用于处理基板的装置和方法

权利要求书

1.一种通过将处理液供给到基板上来处理基板的方法，所述方法包括：

在供给所述处理液的同时以第一速度和第二速度交替地重复旋转所述基板，

其中所述第二速度高于所述第一速度，

其中，所述第一速度为100rpm以下，所述第二速度为1000rpm以上，

其中，当所述基板以所述第二速度旋转时开始供应所述处理液，所述处理液是用于蚀刻涂覆在所述基板上的膜的化学品，并且

其中，在将所述基板的旋转速度在所述第一速度和所述第二速度之间改变时，所述基板的旋转加速度是变化的，并且在所述旋转加速度变化的过程中，所述旋转加速度从较高加速度平滑地变化到较低加速度。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，将所述基板的旋转速度在所述第一速度和所述第二速度之间改变两次以上。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一速度为0rpm。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述处理液包括稀释剂。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，供给所述处理液的时间段为100秒以下。

6.一种用于处理基板的方法，所述方法包括：

第一涂覆工艺，所述第一涂覆工艺在第一室中通过将第一涂覆液供给到具有图案的所述基板上而形成第一涂层；

蚀刻工艺，所述蚀刻工艺通过将化学品供给到所述基板上而去除位于所述图案的上表面上的第一涂层，使得所述图案的所述上表面暴露；和

第二涂覆工艺，所述第二涂覆工艺在第二室中通过将第二涂覆液供给到具有图案的所述基板上而形成第二涂层，

其中依次执行所述第一涂覆工艺、所述蚀刻工艺和所述第二涂覆工艺，

其中在所述蚀刻工艺中，在供给所述化学品的同时，以第一速度和第二速度交替地重复旋转所述基板，以及

其中所述第二速度高于所述第一速度，

其中，所述第一速度为100rpm以下，所述第二速度为1000rpm以上，

其中，当所述基板以所述第二速度旋转时开始供应所述化学品，并且

其中，在将所述基板的旋转速度在所述第一速度和所述第二速度之间改变时，所述基板的旋转加速度是变化的，并且在所述旋转加速度变化的过程中，所述旋转加速度从较高加速度平滑地变化到较低加速度。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，将所述基板的旋转速度在所述第一速度和所述第二速度之间改变两次以上。

8.根据权利要求6或7所述的方法，其中，在所述第一室和所述第二室中的一者中执行所述蚀刻工艺。

9.一种基板处理装置，包括：

基板支撑构件，所述基板支撑构件支撑所述基板；

旋转驱动构件，所述旋转驱动构件被配置为旋转所述基板支撑构件；

液体供给单元，所述液体供给单元被配置为将处理液供给到由所述基板支撑构件所支撑的所述基板上；以及

控制器，所述控制器被配置为控制所述旋转驱动构件和所述液体供给单元，

其中所述控制器控制所述旋转驱动构件和所述液体供给单元，使得在供给所述处理液的同时以第一速度和第二速度交替地重复旋转所述基板；以及

其中所述第二速度高于所述第一速度，

其中，所述第一速度为100rpm以下，所述第二速度为1000rpm以上，

其中，当所述基板以所述第二速度旋转时开始供应所述处理液，所述处理液是用于蚀刻涂覆在所述基板上的膜的化学品，并且

其中，所述控制器控制所述旋转驱动构件，使得在将所述基板的旋转速度在所述第一速度和所述第二速度之间改变时，所述基板的旋转加速度是变化的，并且在所述旋转加速度变化的过程中，所述旋转加速度从较高加速度平滑地变化到较低加速度。

10.根据权利要求9所述的基板处理装置，其中，所述控制器控制所述旋转驱动构件，使得将所述基板的旋转速度在所述第一速度和所述第二速度之间改变两次以上。