[发明专利]用于处理基板的装置和方法

说明书

本发明涉及用于处理基板的装置和方法。该方法包括在供给处理液的同时以第一速度和第二速度交替地重复旋转基板，其中，第二速度高于第一速度。

技术领域

本文描述的本发明构思的实施方式涉及用于处理基板的装置和方法。

背景技术

半导体器件的制造要进行各种工艺，例如清洁、沉积、光刻、蚀刻和离子注入。在这些工艺当中，使用沉积和旋涂硬(SOH)掩模(以下称为涂覆)工艺作为在基板上形成膜的工艺。此外，蚀刻工艺包括在真空状态下使用等离子体的干式蚀刻方法和在常压状态下使用液体化学品的湿式蚀刻方法。

通常，沉积工艺是通过在基板上沉积工艺气体而在基板上形成膜的工艺，涂覆工艺是通过将处理液供给到基板的中心而形成液体膜的工艺。

通常通过将处理液供给到以特定速度旋转的基板来进行处理液供给工艺，例如涂覆工艺或湿法蚀刻工艺。在这种情况下，为了将处理液涂覆在基板的整个表面上并提供足够的处理速度，提供特定量以上的处理液。

发明内容

本发明构思的实施方式提供了一种提高处理效率的装置和方法。

本发明构思的实施方式还提供了用于减少所使用的处理液量的装置和方法。

本发明构思的目的不限于上述目的。本发明概念所属领域的技术人员将从下面的描述中清楚地了解未提及的其它技术目的。

本发明构思提供了一种通过将处理液供给到基板上来处理基板的方法。所述方法可以包括：在供给所述处理液的同时以第一速度和第二速度交替地重复旋转所述基板，其中所述第二速度可以高于所述第一速度。

可以将基板的旋转速度在第一速度和第二速度之间改变两次以上。

基板的初始旋转速度是第一速度或第二速度。

在将基板的旋转速度在第一速度和第二速度之间改变时，所述基板的旋转加速度可以是恒定的或变化的。

第一速度可以是100rpm以下，并且第二速度可以是1000rpm以上。

第一速度可以是0rpm。

处理液可以是用于蚀刻涂覆在基板上的膜的化学品。

处理液可以包括稀释剂。

供给处理液的时间段可以是100秒以下。

与此不同的是，用于处理基板的方法可以包括：第一涂覆工艺，其在第一室中通过将第一涂覆液提供到具有图案的基板上而形成第一涂层，蚀刻工艺，其通过将化学品供给到基板上而去除位于图案的上表面上的第一涂层，使得图案的上表面暴露；以及第二涂覆工艺，其在第二室中通过将第二涂覆液供给到具有图案的基板上而形成第二涂层，其中可以依次执行所述第一涂覆工艺、所述蚀刻工艺和所述第二涂覆工艺，在蚀刻工艺中，可以在供给所述化学品的同时，以第一速度和第二速度交替地重复旋转所述基板，并且第二速度可以高于第一速度。

可以将基板的旋转速度在第一速度和第二速度之间改变两次以上。

基板的初始旋转速度可以是第一速度或第二速度。

在将基板的旋转速度在第一速度和第二速度之间改变时，所述基板的旋转加速度可以是恒定的或变化的。

可以在第一室或第二室中的一者中进行蚀刻工艺。

此外，本发明构思提供了一种基板处理装置。基板处理装置可以包括：基板支撑构件，其支撑基板；旋转驱动构件，其被配置为旋转基板支撑构件；液体供给单元，其被配置为将处理液供给到由基板支撑构件支撑的基板上；和控制器，其被配置为控制旋转驱动构件和液体供给单元，控制器可以控制旋转驱动构件和液体供给单元，使得在供给处理液的同时以第一速度和第二速度交替地重复旋转基板；并且第二速度高于第一速度。