[发明专利]具有粘合剂溢流凹部的经修改的引线框架设计有效
申请号: | 201710762746.X | 申请日: | 2017-08-30 |
公开(公告)号: | CN108281407B | 公开(公告)日: | 2021-10-22 |
发明(设计)人: | R·罗德里奎兹;A·M·阿谷唐;J·塔利多;M·马纳罗;E·M·卡达格;R·塞奎多 | 申请(专利权)人: | 意法半导体公司 |
主分类号: | H01L23/495 | 分类号: | H01L23/495;H01L21/48 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 王茂华;罗利娜 |
地址: | 菲律宾*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 粘合剂 溢流 修改 引线 框架 设计 | ||
1.一种设备,包括:
引线框架,所述引线框架具有主体,所述主体具有第一侧和与所述第一侧相对的第二侧;
第一凹部,位于所述主体的所述第一侧中;
管芯附接焊盘,位于所述主体的所述第一侧上,所述管芯附接焊盘与所述第一凹部相邻;
半导体管芯,附接至所述管芯附接焊盘,所述半导体管芯具有直接位于所述第一凹部的第一部分上方并叠加在所述第一凹部的所述第一部分上的一个部分;以及
在所述半导体管芯与所述管芯附接焊盘之间的粘合层,所述半导体管芯的边缘延伸超过所述粘合层的边缘。
2.根据权利要求1所述的设备,其中所述粘合层被定位在所述凹部中、位于所述半导体管芯下方并置于所述半导体管芯底层。
3.根据权利要求1所述的设备,其中所述第一凹部具有从所述第一侧起的最大深度,所述最大深度小于所述主体的所述第一侧与所述第二侧之间的距离。
4.根据权利要求1所述的设备,其中所述第一凹部的第二部分延伸到所述半导体管芯的边缘外,延伸到所述半导体管芯的所述边缘下方。
5.根据权利要求1所述的设备,其中所述主体包括贯穿所述主体的所述第一侧的第二凹部,所述半导体管芯位于所述第二凹部的一部分上方并叠加在所述第二凹部的所述部分上。
6.根据权利要求5所述的设备,其中所述管芯附接焊盘在所述第一凹部与所述第二凹部之间。
7.根据权利要求6所述的设备,其中所述主体具有第三侧,所述第三侧与所述第一侧正交,所述主体的所述第一侧的在所述第三侧与所述第一凹部之间的表面与所述主体的所述第一侧的在所述管芯附接焊盘处的表面共面。
8.根据权利要求6所述的设备,其中所述主体具有第三侧,所述第三侧与所述第一侧正交,所述主体的在所述第三侧与所述第一凹部之间的部分形成城齿和垛口图案。
9.根据权利要求8所述的设备,其中城齿的面向垛口的表面具有弯曲度。
10.根据权利要求6所述的设备,其中所述主体的第一侧的长度大于所述主体的第二侧的长度。
11.根据权利要求5所述的设备,还包括:
密封剂锚部,所述密封剂锚部在所述引线框架主体的第一侧上并且从所述引线框架主体的所述第一侧延伸,所述密封剂锚部与所述管芯附接焊盘间隔,所述密封剂锚部具有与所述管芯附接焊盘的表面共面的表面。
12.根据权利要求1所述的设备,还包括:
在所述主体的第一侧中的第二凹部,所述半导体管芯在所述第二凹部的整体上方延伸。
13.一种制造方法,包括:
成形引线框架主体,以在所述引线框架主体的第一侧上产生中心管芯焊盘;以及
在所述中心管芯焊盘处将所述引线框架主体附接至半导体管芯,所述半导体管芯具有的长度大于所述中心管芯焊盘的长度,并且所述半导体管芯具有的宽度大于所述中心管芯焊盘的宽度,
其中将所述引线框架主体附接至所述半导体管芯包括:在所述中心管芯焊盘上和在所述中心管芯焊盘的一侧上形成粘合层,所述半导体管芯的边缘延伸超过所述粘合层的边缘。
14.根据权利要求13所述的方法,还包括:
移除所述引线框架主体的第二侧的一部分,所述第二侧与所述第一侧正交,所述引线框架主体的第三侧与所述第一侧相对,所述第三侧具有比所述第一侧短的长度。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于意法半导体公司,未经意法半导体公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710762746.X/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。