[发明专利]GOA阵列基板及显示面板

权利要求书

1.一种GOA阵列基板，其特征在于，包括：

衬底基板，所述衬底基板上设有显示区和非显示区；

GOA电路，其设置在衬底基板的非显示区上，所述GOA电路包括：

薄膜晶体管，其包括邻近所述衬底基板的第一金属层及间隔所述第一金属层设置的第二金属层，所述第一金属层位于衬底基板上；

自举电容，其包括第一电极和第二电极，所述自举电容设置在所述衬底基板上；

所述非显示区包括薄膜晶体管所处的区域与第三区，所述第三区位于薄膜晶体管所处的区域和所述显示区之间，所述自举电容的两个电极至少部分位于所述第三区,所述第三区设有第三金属层,所述第三金属层与所述第一金属层及所述第二金属层均不同层，其中，所述自举电容的两个电极避开所述第三金属层设置，所述自举电容的两个电极与所述第三金属层在水平面的投影没有重叠。

2.如权利要求1所述的GOA阵列基板，其特征在于，当部分所述薄膜晶体管的第一金属层作为所述自举电容的第二电极时，所述第一电极直接形成在所述衬底基板上或者间接形成在所述衬底基板上。

3.如权利要求2所述的GOA阵列基板，其特征在于，所述第一电极和所述第二电极之间间隔第一绝缘层。

4.如权利要求3所述的GOA阵列基板，其特征在于，所述第一绝缘层的材料为氮化硅材料。

5.如权利要求2所述的GOA阵列基板，其特征在于，所述薄膜晶体管还包括第二绝缘层、半导体层和第二金属层，所述第二绝缘层、半导体层和第二金属层依序形成在第一金属层上方。

6.如权利要求1所述的GOA阵列基板，其特征在于，所述第三区为静电释放区或虚拟区。

7.如权利要求1所述的GOA阵列基板，其特征在于，所述第三区为静电释放区和虚拟区，所述静电释放区邻近所述GOA电路所处的区域设置，所述虚拟区邻近显示区设置。

8.如权利要求6或7所述的GOA阵列基板，其特征在于，所述自举电容完全位于所述第三区。

9.一种显示面板，其特征在于，包括如权利要求1-8任意一项所述的GOA阵列基板。