[发明专利]GOA阵列基板及显示面板

说明书

本发明实施例公开了一种GOA阵列基板，包括：衬底基板，所述衬底基板上设有显示区和非显示区；GOA电路，其设置在衬底基板的非显示区上，所述GOA电路包括：薄膜晶体管，其包括邻近所述衬底基板的第一金属层，所述第一金属层位于衬底基板上；自举电容，其包括第一电极和第二电极，所述自举电容设置在所述衬底基板上；其中，部分所述薄膜晶体管的第一金属层作为所述自举电容的第二电极，所述第一电极位于所述第二电极的下方；或者，所述非显示区包括第三区，所述第三区位于薄膜晶体管所处的区域和所述显示区之间，所述自举电容的两个电极至少部分位于所述第三区。本发明实施例还公开了一种显示面板。采用本发明，具有有利于实现窄边框的优点。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别是涉及一种GOA阵列基板及显示面板。

背景技术

液晶显示面板以其显示品质高、价格低廉、携带方便等优点，成为移动通讯设备、PC、TV等的显示面板。目前液晶显示面板驱动技术逐渐趋向于采用GOA电路，GOA电路能简化平板显示面板的制作工序，省去水平扫描线方向的接合(bonding)工艺，可提升产能、降低产品成本，同时可以提升显示面板的集成度使之更适合制作窄边框或无边框显示产品，满足现代人们的视觉追求。

GOA电路，即Gate Driver on Array技术，也就是利用现有液晶显示面板Array制程将栅极驱动电路制作在衬底基板上，实现对扫描线逐行扫描的驱动方式。所述GOA电路包括多个薄膜晶体管，而且，为了GOA电路的功能及稳定性一般会设计自举电容(C Boost)，且自举电容需要一定大小才能稳定发挥作用，这样自举电容就需要在衬底基板上占据较大的空间，请参见图1，所述GOA电路所处的区域110包括TFT电路区111和Cb区112，所述薄膜晶体管位于TFT电路111，所述自举电容位于Cb区112，由于Cb区112占用了较大的面积，这样导致GOA电路所处的区域110占用较大的面积，这样不利于带GOA电路的液晶显示面板窄边框的实现。

发明内容

本发明实施例所要解决的技术问题在于，提供一种GOA阵列基板及显示面板。有利于窄边框的实现。

为了解决上述技术问题，本发明实施例提供了一种GOA阵列基板，包括：

衬底基板，所述衬底基板上设有显示区和非显示区；

GOA电路，其设置在衬底基板的非显示区上，所述GOA电路包括：

薄膜晶体管，其包括邻近所述衬底基板的第一金属层，所述第一金属层位于衬底基板上；

自举电容，其包括第一电极和第二电极，所述自举电容设置在所述衬底基板上；

其中，部分所述薄膜晶体管的第一金属层作为所述自举电容的第二电极，所述第一电极位于所述第二电极的下方；或者，所述非显示区包括第三区，所述第三区位于薄膜晶体管所处的区域和所述显示区之间，所述自举电容的两个电极至少部分位于所述第三区。

在本发明第一方面一实施例中，当部分所述薄膜晶体管的第一金属层作为所述自举电容的第二电极时，所述第一电极直接形成在所述衬底基板上或者间接形成在所述衬底基板上。

在本发明第一方面一实施例中，所述第一电极和所述第二电极之间间隔第一绝缘层。

在本发明第一方面一实施例中，所述第一绝缘层的材料为氮化硅材料。

在本发明第一方面一实施例中，所述薄膜晶体管还包括第二绝缘层、半导体层和第二金属层，所述第二绝缘层、半导体层和第二金属层依序形成在第一金属层上方。

在本发明第一方面一实施例中，所述第三区为静电释放区或虚拟区。

在本发明第一方面一实施例中，所述第三区为静电释放区和虚拟区，所述静电释放区邻近所述GOA电路所处的区域设置，所述虚拟区邻近显示区设置。