[发明专利]一种显示面板、其制作方法及显示装置有效
申请号: | 201710765411.3 | 申请日: | 2017-08-30 |
公开(公告)号: | CN107393870B | 公开(公告)日: | 2020-03-06 |
发明(设计)人: | 徐德智;宫奎 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;合肥京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/77 | 分类号: | H01L21/77;H01L27/12 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 郭润湘 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 显示 面板 制作方法 显示装置 | ||
1.一种显示面板的制作方法,其特征在于,包括:
在衬底基板上形成第一金属层的图形,以及位于所述第一金属层背离所述衬底基板一侧的金属氧化物导电层的图形,且所述金属氧化物导电层通过至少一个通孔与所述第一金属层电性连接;其中,
在形成所述金属氧化物导电层的图形之前,在所述第一金属层远离所述衬底基板一侧的表面形成一层还原金属层;所述还原金属层为由金属氢化物材料构成的膜层;
在形成所述金属氧化物导电层的图形之后,对所述还原金属层和所述金属氧化物导电层进行处理,以使所述还原金属层还原为第二金属层,以及所述金属氧化物导电层靠近所述衬底基板一侧的表面还原出金属颗粒。
2.如权利要求1所述的制作方法,其特征在于,所述在所述第一金属层远离所述衬底基板一侧的表面形成一层还原金属层,包括:
将还原剂与所述还原金属层对应的化合物水溶液在设定条件下反应,将得到的溶液涂覆到所述第一金属层远离所述衬底基板一侧的表面,以形成所述还原金属层。
3.如权利要求2所述的制作方法,其特征在于,所述将还原剂与所述还原金属层对应的化合物水溶液在设定条件下反应,包括:
将还原剂与所述金属氢化物对应的化合物水溶液混合,在酸性环境以及温度为40℃~50℃的条件下反应。
4.如权利要求1所述的制作方法,其特征在于,所述第一金属层与所述第二金属层采用的金属材料相同;
所述在所述第一金属层远离所述衬底基板一侧的表面形成一层还原金属层,包括:
采用还原性气体,对所述第一金属层远离所述衬底基板一侧的表面进行等离子体处理。
5.如权利要求4所述的制作方法,其特征在于,所述采用还原性气体,对所述第一金属层远离所述衬底基板一侧的表面进行等离子体处理,包括:
采用H2,NH3,N2H4,H2S,CH4,C2H6或HCN中的一种或多种气体,对所述第一金属层远离所述衬底基板一侧的表面进行等离子体处理。
6.如权利要求1所述的制作方法,其特征在于,所述对所述还原金属层和所述金属氧化物导电层进行处理,以使所述还原金属层氧化为第二金属层,以及所述金属氧化物导电层靠近所述衬底基板一侧的表面还原出金属颗粒,包括:
将形成所述金属氧化物导电层的图形之后的衬底基板加热至60℃~100℃。
7.如权利要求1~6任一项所述的制作方法,其特征在于,所述在衬底基板上形成一层第一金属层之前,还包括:
在所述衬底基板上形成阻挡金属层。
8.如权利要求1~6任一项所述的制作方法,其特征在于,所述在形成所述金属氧化物导电层的图形之前,在所述第一金属层远离所述衬底基板一侧的表面形成一层还原金属层,包括:
在形成所述第一金属层之后,以及形成所述第一金属层的图形之前,在所述第一金属层远离所述衬底基板一侧的表面形成一层还原金属层;或,
在形成所述第一金属层的图形之后,以及形成用于导通所述第一金属层与所述金属氧化物导电层的通孔之前,在所述第一金属层远离所述衬底基板一侧的表面形成一层还原金属层;或,
在形成导通所述第一金属层与所述金属氧化物导电层的通孔之后,以及形成金属氧化物导电层的图形之前,在所述第一金属层远离所述衬底基板一侧的表面形成一层还原金属层。
9.一种显示面板,其特征在于,所述显示面板由权利要求1~8任一项所述的显示面板的制作方法制作而成。
10.一种显示装置,其特征在于,包括:权利要求9所述的显示面板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造