[发明专利]一种显示面板、其制作方法及显示装置有效
申请号: | 201710765411.3 | 申请日: | 2017-08-30 |
公开(公告)号: | CN107393870B | 公开(公告)日: | 2020-03-06 |
发明(设计)人: | 徐德智;宫奎 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;合肥京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/77 | 分类号: | H01L21/77;H01L27/12 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 郭润湘 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 显示 面板 制作方法 显示装置 | ||
本发明公开了一种显示面板、其制作方法及显示装置,该制作方法,包括:在衬底基板上形成第一金属层的图形,以及位于第一金属层背离衬底基板一侧的金属氧化物导电层的图形,且金属氧化物导电层通过至少一个通孔与第一金属层电性连接;其中,在形成金属氧化物导电层的图形之前,在第一金属层远离衬底基板一侧的表面形成一层还原金属层;在形成金属氧化物导电层的图形之后,对还原金属层和金属氧化物导电层进行处理,以使还原金属层氧化为第二金属层,以及金属氧化物导电层靠近衬底基板一侧的表面还原出金属颗粒。本发明实施例提供的制作方法,可以避免第一金属层与金属氧化物导电层接触而发生氧化,并减小接触电阻,提高显示效果。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤指一种显示面板、其制作方法及显示装置。
背景技术
液晶显示器(Liquid Crystal Display,LCD)具有机身薄、省电、无辐射等优点,得到了广泛的应用。现有液晶显示装置包括液晶显示面板及背光模组(Backlight Module,BM),通常液晶显示面板包括彩膜(Color Filter,CF)基板、阵列(Thin Film Transistor,TFT)基板、及设置于彩膜基板与阵列基板之间的液晶(Liquid Crystal)层。通过给阵列基板供电与否来控制液晶分子改变方向,将背光模组的光线投射到彩膜基板产生需要显示的画面。
阵列基板的性能特征和运行特性部分很大程度上取决于形成阵列基板各元件的材料,阵列基板中的金属导线是将溅射在阵列基板上的金属层通过蚀刻工艺制成,常规应用于阵列基板中的金属导线为铝导线。随着电视等液晶显示终端的大尺寸化、高解析度以及驱动频率高速化的发展趋势及要求,液晶显示领域技术人员不得不面对阵列基板中电阻及所造成的电阻/电容延迟问题。而铝导线具有较高的电阻率(约4μΩ·cm)使得阵列基板的像素电极不能够充分充电,随着高频(>120Hz)液晶显示的广泛应用,这一现象更加明显。铜导线相对于铝导线具有较低的电阻率(约2μΩ·cm)及良好的抗电迁移能力,因而被应用到阵列基板上来解决上述铝导线产生的问题。
然而,铜金属薄膜暴露在空气中,或者与一些具有氧化特性的膜层接触时,容易出现被氧化的问题,如果铜表面被氧化,会造成铜金属膜层的变质脱落,这势必会影响电流信号的传输和导通,比如,在过孔结构中,一般通过透明导电氧化物材料来完成公共电极与其他膜层之间的跨接,如果金属氧化物导电层与铜接触,往往会出现接触界面的铜膜层出现严重氧化,造成界面接触电阻过高导致接触不良问题的发生,影响薄膜晶体管的正常工作,出现显示器件的功能性不良。
因此,如何解决金属层容易被氧化的问题是急需解决的技术问题。
发明内容
本发明实施例提供一种显示面板、其制作方法及显示装置,用以解决现有技术中存在的无法解决金属层容易被氧化的问题。
第一方面,本发明实施例提供了一种显示面板的制作方法,包括:
在衬底基板上形成第一金属层的图形,以及位于所述第一金属层背离所述衬底基板一侧的金属氧化物导电层的图形,且所述金属氧化物导电层通过至少一个通孔与所述第一金属层电性连接;其中,
在形成所述金属氧化物导电层的图形之前,在所述第一金属层远离所述衬底基板一侧的表面形成一层还原金属层;
在形成所述金属氧化物导电层的图形之后,对所述还原金属层和所述金属氧化物导电层进行处理,以使所述还原金属层氧化为第二金属层,以及所述金属氧化物导电层靠近所述衬底基板一侧的表面还原出金属颗粒。
在一种可能的实现方式中,在本发明实施例提供的上述制作方法中,所述在所述第一金属层远离所述衬底基板一侧的表面形成一层还原金属层,包括:
将还原剂与所述还原金属层对应的化合物水溶液在设定条件下反应,将得到的溶液涂覆到所述第一金属层远离所述衬底基板一侧的表面,以形成所述还原金属层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造