[发明专利]一种用ICP干法刻蚀制作薄膜电阻的方法

权利要求书

1.一种用ICP干法刻蚀制作薄膜电阻的方法，其特征在于，包括：衬底介质层(1)、电阻薄膜 层(2)、掩蔽层(3)、介质层(4)、隔离层(5)和金属层(6)；

进行以下步骤：

1)在衬底介质层(1)上淀积一层电阻薄膜层(2)；所述电阻薄膜层(2)厚度为45±5nm；

2)在所述电阻薄膜层(2)上淀积一层掩蔽层(3)；所述步骤2)中的掩蔽层(3)为具有高选择比材料，所述电阻薄膜层(2)材料与掩蔽层(3)材料的选择比大于等于6；所述步骤2)中的掩蔽层3为具有高选择比材料，所述掩蔽层(3)的厚度为10±1nm；3)通过ICP干法刻蚀的方法去除电阻薄膜层(2)和掩蔽层(3)，形成电阻图形；

4)在所述电阻图形上淀积一层介质层(4)；利用光刻刻蚀工艺去除多余的介质层(4)，保留端头介质层(4)；

5)利用刻蚀工艺去除电阻薄膜 层(2)上多余的掩蔽层(3)，保留端头介质层(4)保护下的掩蔽层(3)；

6)在电阻图形上淀积隔离层(5)，并在电阻端头刻蚀形成连接孔；

7)淀积金属层(6)，填充连接孔，引出电阻。

2.根据权利要求1所述的一种用ICP干法刻蚀制作薄膜电阻的方法，其特征在于：所述步骤1)中的电阻薄膜层(2)为含Cr的金属薄膜，包括CrSi。

3.根据权利要求1所述的一种用ICP干法刻蚀制作薄膜电阻的方法，其特征在于：所述步骤2)中，掩蔽层(3)包括Ti或Tin。

4.根据权利要求1所述的一种用ICP干法刻蚀制作薄膜电阻的方法，其特征在于：所述步骤3)中采用ICP等离子体刻蚀，腔室压力10～30mTorr，ICP RF为200～600w，BIAS RF为80～200w；

所述刻蚀气体包括Cl₂、HBr和Ar；刻蚀气体中Cl₂为30～100sccm，HBr为10～30sccm，Ar为40～200sccm。

5.根据权利要求1所述的一种用ICP干法刻蚀制作薄膜电阻的方法，其特征在于：所述步骤4)中的介质层(4)的介质材料包括SiO₂或Si₃N₄。

6.根据权利要求1所述的一种用ICP干法刻蚀制作薄膜电阻的方法，其特征在于：所述步骤6)中的隔离层(5)的材料为Si₃N₄。

7.根据权利要求1所述的一种用ICP干法刻蚀制作薄膜电阻的方法，其特征在于：所述步骤7)中的金属层(6)的材料为导电金属材料，所述金属层(6)包括AlSiCu、Al或AlCu。