[发明专利]半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，半导体器件为LDMOS，DDDMOS和DEMOS中的一种，其特征在于，多个半导体器件的单元结构集成于同一半导体衬底上，各所述单元结构包括：源端结构，漏端结构，平面栅结构；

所述平面栅结构包括依次形成于高压P阱表面的栅介质层和多晶硅栅；所述高压P阱作为体区且被所述多晶硅栅覆盖的所述体区表面用于形成连接源漏的沟道；

所述源端结构形成于所述多晶硅栅的第一侧的高压P阱的表面；所述漏端结构形成于所述多晶硅栅的第二侧的高压P阱的侧面；

所述源端结构包括由N+区组成的源区和由P+区组成的体引出区，所述源区和对应的所述多晶硅栅的第一侧自对准；

在俯视面上的结构为：

各所述单元结构排列成多指状阵列结构，各所述单元结构的源端结构、平面栅结构和漏端结构沿所述沟道的宽度方向延伸并平行排列；两个相邻的所述单元结构的源端结构共用；

在共用的所述源端结构中，在沿着所述沟道的长度方向上，所述源端结构具有N+区、P+区和N+区的结构，中间的P+区作为两个所述单元结构共用的所述体引出区；所述体引出区两侧的N+区分别作为所述体引出区两侧对应的所述单元结构的所述源区；

在沿着所述沟道的宽度方向上，所述单元结构对应的所述源区呈连续结构，所述源区呈连续结构中，所述源区和所述体引出区同时通过跨过所述源区和所述体引出区的第一接触孔连接到由正面金属层组成的源极；

或者，在沿着所述沟道的宽度方向上，所述单元结构对应的所述源区呈在所述源区中插入有所述体引出区的结构，且插入到所述源区中的所述体引出区和对应的所述多晶硅栅侧面自对准。

2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于：在沿着所述沟道的宽度方向上具有插入到所述源区中的所述体引出区的结构中，所述源区和所述体引出区同时通过跨过所述源区和所述体引出区的第一接触孔连接到由正面金属层组成的源极。

3.如权利要求2所述的半导体器件，其特征在于：在所述体引出区中还形成于仅位于所述体引出区中的第二接触孔，所述第二接触孔的顶部也连接到所述源极。

4.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于：在沿着所述沟道的宽度方向上具有插入到所述源区中的所述体引出区的结构中，在所述体引出区中形成于仅位于所述体引出区中的第二接触孔，所述第二接触孔的顶部连接到所述源极；在所述源区中形成于仅位于所述源区中的第三接触孔，所述第三接触孔的顶部连接到所述源极。

5.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于：所述多晶硅栅顶部通过第四接触孔连接到由正面金属层组成的栅极。

6.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于：所述漏端结构包括形成于所述高压P阱表面的由N-区组成的漂移区和形成于所述漂移区表面的由N+区组成的漏区。

7.如权利要求6所述的半导体器件，其特征在于：所述漏区顶部通过第五接触孔连接到由正面金属层组成的漏极。

8.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于：所述第一接触孔在俯视面上呈方形结构，在所述体引出区的和所述源区交界的两个侧面上都形成有所述第一接触孔。

9.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于：所述第一接触孔在俯视面上呈长条形结构，所述第一接触孔之间跨越了整个所述体引出区以及所述体引出区和两侧所述源区的交界面。

10.如权利要求2所述的半导体器件，其特征在于：所述第一接触孔在俯视面上呈长条形结构，所述第一接触孔之间跨越了整个所述体引出区以及所述体引出区和两侧所述源区的交界面。

11.如权利要求3所述的半导体器件，其特征在于：所述第二接触孔在俯视面上呈长条形结构且所述第二接触孔位于所述体引出区的具有插入到所述源区的结构区域中。