[发明专利]层叠晶片的加工方法

权利要求书

1.一种层叠晶片的加工方法，该层叠晶片是在硅基板的正面侧利用树脂粘接玻璃基板而成的，在该硅基板的正面上形成有由多条分割预定线划分的多个器件，其中，

在硅基板的背面上形成有红外线难以透过的非透过层，

该层叠晶片的加工方法具有如下的步骤：

载置步骤，隔着在该玻璃基板侧粘贴有保护带的层叠晶片的该保护带，将该玻璃基板侧载置在切削装置的卡盘工作台上表面上；

外周剩余区域硅基板露出步骤，在实施了该载置步骤之后，利用该切削装置的切削刀具对未形成该多个器件的外周剩余区域的该非透过层进行切削而将其去除，使硅基板露出；

对准步骤，在实施了该外周剩余区域硅基板露出步骤之后，将红外线照相机定位在该外周剩余区域的露出了的硅基板上，透过该硅基板对该正面侧的分割预定线进行检测而进行对准；

第1切削步骤，在实施了该对准步骤之后，使第1切削刀具从该层叠晶片的该非透过层侧贯穿所述非透过层和所述硅基板而切入到该树脂的中途，沿着该分割预定线对该硅基板进行分割；以及

第2切削步骤，在实施了该第1切削步骤之后，使第2切削刀具沿着通过该第1切削步骤而切削出的槽切入到该保护带的中途，沿着该分割预定线对该玻璃基板进行分割，

该第2切削刀具的磨粒的粒径比所述第1切削刀具的磨粒的粒径大，并且该第2切削刀具具有比该第1切削刀具的宽度窄的宽度。