[发明专利]层叠晶片的加工方法

说明书

提供一种层叠晶片的加工方法，对形成有非透过层的层叠晶片进行良好地分割。一种层叠晶片(W)的加工方法，该层叠晶片(W)是在硅基板(W1)的正面侧粘接玻璃基板(W2)而成的，该层叠晶片(W)的加工方法构成为：从形成有红外线难以透过的非透过层(14)的硅基板的背面侧切入未形成器件的外周剩余区域而使硅基板露出，将红外线照相机定位在露出于外周剩余区域的硅基板的上方而对硅基板的正面侧的分割预定线进行检测而实施对准，利用硅基板用的第1切削刀具沿着分割预定线切入而对硅基板进行分割，利用玻璃基板用的第2切削刀具沿着在硅基板中分割出的槽切入而对玻璃基板进行分割。

技术领域

本发明涉及层叠晶片的加工方法，将层叠晶片沿着分割预定线进行分割。

背景技术

以往，作为层叠晶片，公知有利用树脂将玻璃基板粘接在硅基板的正面上而成的晶片，作为这种层叠晶片的加工方法，提出了利用超声波刀具进行切削的方法(例如，参照专利文献1)。在专利文献1所记载的加工方法中，在硅基板的背面上粘贴保护带，在使玻璃基板朝向上方的状态下将保护带侧保持在卡盘工作台上。并且，利用拍摄构件透过玻璃基板检测硅基板的正面的分割预定线并进行对准，沿着分割预定线利用超声波刀具对玻璃基板和硅基板进行切削。

专利文献1：日本特开2007-081264号公报

但是，存在如下情况：在层叠晶片的硅基板的背面侧形成有金属膜或梨皮面等。由于金属膜或梨皮面是红外线难以通过的非透过层，所以无法在使硅基板朝向上方的状态下进行使用了红外线照相机的对准，需要如专利文献1的加工方法那样从玻璃基板侧对层叠晶片进行切削。但是，产生了如下的不良情况：当在硅基板的背面上形成有金属膜时会产生金属毛刺，当在硅基板的背面上形成有梨皮面时会使背面崩边出现恶化，分割后的芯片容易产生不良。

发明内容

本发明是鉴于该点而完成的，其目的之一在于，提供层叠晶片的加工方法，能够对形成有非透过层的层叠晶片进行良好地分割。

本发明的一个方式的层叠晶片的加工方法，该层叠晶片是在硅基板的正面侧利用树脂粘接玻璃基板而成的，在该硅基板的正面上形成有由多条分割预定线划分的多个器件，其中，在硅基板的背面上形成有红外线难以透过的不透过层，该层叠晶片的加工方法具有如下的步骤：载置步骤，隔着在该玻璃基板侧粘贴有保护带的层叠晶片的该保护带，将该玻璃基板侧载置在切削装置的卡盘工作台上表面上；外周剩余区域硅基板露出步骤，在实施了该载置步骤之后，利用该切削装置的切削刀具对未形成该多个器件的外周剩余区域的该不透过层进行切削而将其去除，使硅基板露出；对准步骤，在实施了该外周剩余区域硅基板露出步骤之后，将红外线照相机定位在该外周剩余区域的露出了的硅基板上，透过该硅基板对该正面侧的分割预定线进行检测而进行对准；第1切削步骤，在实施了该对准步骤之后，使第1切削刀具从该层叠晶片的该硅基板侧切入到该树脂的中途，沿着该分割预定线对该硅基板进行分割；以及第2切削步骤，在实施了该第1切削步骤之后，使第2切削刀具沿着通过该第1切削步骤而切削出的槽切入到该保护带的中途，沿着该分割预定线对该玻璃基板进行分割。

根据该结构，在覆盖着层叠晶片的硅基板的背面的非透过层中，将未形成器件的外周剩余区域去除而使硅基板局部露出。通过将红外线照相机定位在该所露出的硅基板上而利用透过硅基板的红外线对硅基板的正面侧的分割预定线进行检测而实施对准。并且，由于从硅基板的背面的非透过层侧切入，所以不容易产生毛刺并且不容易产生背面崩边。因此，能够沿着分割预定线对形成有非透过层的层叠晶片进行良好地分割。

根据本发明，将硅基板的背面的非透过层中的外周剩余区域去除而能够进行对准，并从硅基板的背面的非透过层侧进行切入，从而能够解决因非透过层引起的不良情况并能够对层叠晶片进行良好地分割。

附图说明

图1是本实施方式的层叠晶片的分解立体图。

图2的(A)和(B)是比较例的层叠晶片的加工方法的说明图。

图3是示出本实施方式的载置步骤的一例的图。