[发明专利]一种三维存储器件的沟槽角度控制方法以及控制装置

权利要求书

1.一种三维存储器件的沟槽角度控制方法，其特征在于，基于离子注入工艺，包括：

确定位于三维存储器件衬底中表征待开设沟槽位置的预设标记；

根据所述预设标记，确定沟槽角度控制的第一方向；

基于所述第一方向，将所述三维存储器旋转预设角度，以使离子注入设备按照第二方向对所述三维存储器的沟槽进行离子注入操作。

2.根据权利要求1所述的三维存储器件的沟槽角度控制方法，其特征在于，当所述预设角度为90°时，所述第二方向与所述第一方向垂直。

3.根据权利要求1所述的三维存储器件的沟槽角度控制方法，其特征在于，在确定位于三维存储器件衬底中表征待开设沟槽位置的预设标记之前，还包括：

提供衬底；

在所述衬底中设置有预设标记。

4.根据权利要求3所述的三维存储器件的沟槽角度控制方法，其特征在于，所述在所述衬底中设置有预设标记，包括：

确定所述预设标记距离所述衬底的第一边的间距为第一预设间距值。

5.一种三维存储器件的沟槽角度控制装置，其特征在于，基于离子注入工艺，包括：

第一确定模块，用于确定位于三维存储器件衬底中表征待开设沟槽位置的预设标记；

第二确定模块，用于根据所述预设标记，确定沟槽角度控制的第一方向；

控制模块，用于基于所述第一方向，将所述三维存储器旋转预设角度，以使离子注入设备按照第二方向对所述三维存储器的沟槽进行离子注入操作。

6.根据权利要求5所述的三维存储器件的沟槽角度控制装置，其特征在于，当所述预设角度为90°时，所述第二方向与所述第一方向垂直。

7.根据权利要求5所述的三维存储器件的沟槽角度控制装置，其特征在于，还包括：

提供模块，用于提供衬底；

设置模块，用于在所述衬底中设置有预设标记。

8.根据权利要求3所述的三维存储器件的沟槽角度控制装置，其特征在于，所述设置模块包括：

确定单元，用于确定所述预设标记距离所述衬底的第一边的间距为第一预设间距值。