[发明专利]一种三维存储器件的沟槽角度控制方法以及控制装置

说明书

技术领域

本发明涉及闪存存储器领域，更具体地说，涉及一种三维存储器件的沟槽角度控制方法以及控制装置。

背景技术

NAND闪存是一种比硬盘驱动器更好的存储设备，随着人们追求功耗低、质量轻和性能佳的非易失存储产品，在电子产品中得到了广泛的应用。目前，平面结构的NAND闪存已近实际扩展的极限，为了进一步的提高存储容量，降低每比特的存储成本，提出了3D结构的NAND存储器。

在三维存储器结构中，高深宽比的沟槽对离子注入的角度提出了更高的要求，为保障存储器稳定的电学性能，需要严格控制离子注入角度的精准度。而随着三维存储器的存储能量的提升，更多的存储结构导致沟槽的深度也越来越大，离子注入角度微小的偏差会大大影响IMP剂量，进而会导致电荷的迁移，因此离子注入角度的控制成为三维存储器件一大挑战。发明人发现，目前的离子注入设备只能对沟槽角度进行水平方向的控制，垂直方向没法控制，因此利用注入设备这种特性与深沟槽特殊结构相结合来精确控制三维存储器件沟槽离子注入角度。因此，如何提供一种三维存储器件的沟槽角度控制方法，避免IMP剂量改变以及电荷迁移，是本领域技术人员亟待解决的一大技术问题。

发明内容

有鉴于此，本发明提供了一种三维存储器件的沟槽角度控制方法以及控制装置，将三维存储器件进行90°旋转，实现了对沟槽垂直角度的控制，避免了IMP剂量改变以及电荷迁移。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：

一种三维存储器件的沟槽角度控制方法，基于离子注入工艺，包括：

确定位于三维存储器件衬底中表征待开设沟槽位置的预设标记；

根据所述预设标记，确定沟槽角度控制的第一方向；

基于所述第一方向，将所述三维存储器旋转预设角度，以使离子注入设备按照第二方向对所述三维存储器的沟槽进行离子注入操作。

可选的，当所述预设角度为90°时，所述第二方向与所述第一方向垂直。

可选的，在确定位于三维存储器件衬底中表征待开设沟槽位置的预设标记之前，还包括：

提供衬底；

在所述衬底中设置有预设标记。

可选的，所述在所述衬底中设置有预设标记，包括：

确定所述预设标记距离所述衬底的第一边的间距为第一预设间距值。

一种三维存储器件的沟槽角度控制装置，基于离子注入工艺，包括：

第一确定模块，用于确定位于三维存储器件衬底中表征待开设沟槽位置的预设标记；

第二确定模块，用于根据所述预设标记，确定沟槽角度控制的第一方向；

控制模块，用于基于所述第一方向，将所述三维存储器旋转预设角度，以使离子注入设备按照第二方向对所述三维存储器的沟槽进行离子注入操作。

可选的，当所述预设角度为90°时，所述第二方向与所述第一方向垂直。

可选的，还包括：

提供模块，用于提供衬底；

设置模块，用于在所述衬底中设置有预设标记。

可选的，所述设置模块包括：

确定单元，用于确定所述预设标记距离所述衬底的第一边的间距为第一预设间距值。

与现有技术相比，本发明所提供的技术方案具有以下优点：

本方案提供一种三维存储器件的沟槽角度控制方法，基于离子注入工艺，该控制方法首先确定位于三维存储器件衬底中表征待开设沟槽位置的预设标记，然后，根据所述预设标记，确定沟槽角度控制的第一方向，最后，基于所述第一方向，将所述三维存储器旋转预设角度，以使离子注入设备按照第二方向对所述三维存储器的沟槽进行离子注入操作。可见，本方案在现有离子注入设备的基础上，通过旋转预设角度改变三维存储器的硅片离子注入方向，进而控制离子注入的方向，实现了对沟槽垂直角度的控制，避免了IMP剂量改变以及电荷迁移。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。

图1为本实施例提供的一种3D NAND存储器件的结构示意图；

图2为本实施例提供的一种离子注入设备的操作视角图；

图3为本实施例提供的一种三维存储器件的沟槽角度控制方法的流程示意图；

图4为本实施例提供的一种三维存储器件的沟槽角度控制方法的又一流程示意图；