[发明专利]一种射频开关的堆叠电路及射频开关在审

专利信息
申请号: 201710772292.4 申请日: 2017-08-31
公开(公告)号: CN107395174A 公开(公告)日: 2017-11-24
发明(设计)人: 余凯;李思臻;章国豪;张志浩 申请(专利权)人: 广东工业大学
主分类号: H03K17/081 分类号: H03K17/081;H03K17/687
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司11227 代理人: 罗满
地址: 510062 广东省*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 射频 开关 堆叠 电路
【权利要求书】:

1.一种射频开关的堆叠电路,所述射频开关包括偏置模块、射频输入模块和射频输出模块,其特征在于,所述堆叠电路包括依次串联的第一晶体管支路、第二晶体管支路直至第N晶体管支路,每条所述晶体管支路包括晶体管,N为不小于3的整数,其中:

所述第一晶体管支路中的晶体管的尺寸和第N晶体管支路中的晶体管的尺寸均大于其他所述晶体管支路中的晶体管的尺寸。

2.根据权利要求1所述的堆叠电路,其特征在于,每条所述晶体管支路还包括第一电阻,所述第一电阻的第一端与所述偏置模块的第一输出端连接,所述第一电阻的第二端与其所在晶体管支路中的晶体管的栅极连接。

3.根据权利要求2所述的堆叠电路,其特征在于,所述第一晶体管支路中的第一电阻的阻值和第N晶体管支路中的第一电阻的阻值均大于其他所述晶体管支路中的第一电阻的阻值。

4.根据权利要求2所述的堆叠电路,其特征在于,每条所述晶体管支路还包括第二电阻,所述第二电阻的第一端与其所在晶体管支路中的晶体管的衬底连接,所述第二电阻的第二端与所述偏置模块的第二输出端连接。

5.根据权利要求4所述的堆叠电路,其特征在于,所述第一晶体管支路中的第二电阻的阻值和第N晶体管支路中的第二电阻的阻值均大于其他所述晶体管支路中第二电阻的阻值。

6.根据权利要求4所述的堆叠电路,其特征在于,每条所述晶体管支路还包括前馈电容,所述前馈电容的第一端与其所在晶体管支路中的晶体管的栅极及所述第一电阻的第二端连接,所述前馈电容的第二端与其所在的所述晶体管之路中的晶体管的源/漏极连接。

7.根据权利要求6所述的堆叠电路,其特征在于,N个所述晶体管支路中的前馈电容的电容值由两侧向中间呈比例递减。

8.根据权利要求4所述的堆叠电路,其特征在于,N个所述晶体管支路中的电阻的阻值由两侧向中间呈比例递减。

9.根据权利要求1-8任一项所述的堆叠电路,其特征在于,N个所述晶体管支路中的晶体管的尺寸由两侧向中间呈比例递减。

10.一种射频开关,其特征在于,包括如权利要求1-9任一项所述的堆叠电路。

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