[发明专利]一种双栅氧化层制造方法有效
| 申请号： | 201710772332.5 | 申请日： | 2017-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN107369648B | 公开（公告）日： | 2020-03-31 |
| 发明（设计）人： | 田武 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 赵秀芹;王宝筠 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市东湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 氧化 制造 方法 | ||
1.一种双栅氧化层制造方法，其特征在于，包括：
提供衬底，所述衬底中形成有浅沟槽隔离结构，在所述浅沟槽隔离结构的两侧分别进行N型或P型掺杂，形成相应N型或P型导电类型的阱，从而形成相互隔离的第一有源区和第二有源区；所述第一有源区用于形成高阈值电压MOS管，所述第二有源区用于形成低阈值电压MOS管；
在所述第一有源区上形成第一栅氧化层；
在所述第二有源区上形成第二栅氧化层；
在衬底上方涂覆光刻胶并进行光刻图案化，使光刻胶覆盖所述第一栅氧化层，并露出所述第二栅氧化层；
对所述第二栅氧化层进行氮掺杂；
去除光刻胶，并对第二栅氧化层进行退火处理；
其中，所述第一栅氧化层的厚度大于所述第二栅氧化层的厚度。
2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述第二栅氧化层的厚度范围为18～30埃米。
3.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述氮掺杂中的氮掺杂能量为0.5～3keV，掺杂剂量为1014～1020cm-3。
4.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述第一有源区和所述第二有源区之间的衬底中形成有元件隔离结构。
5.根据权利要求4所述的制造方法，其特征在于，所述元件隔离结构为浅沟槽隔离结构或场氧化层。
6.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，在所述第一有源区上形成第一栅氧化层，具体包括：
通过热氧化方法或者化学气相沉积方法在所述第一有源区上形成第一栅氧化层。
7.根据权利要求1-6任一项所述的制造方法，其特征在于，所述在所述第一有源区上形成第一栅氧化层，具体包括：
在衬底表面上形成第一栅氧化层；
刻蚀去除所述第二有源区上方的第一栅氧化层。
8.根据权利要求1-6任一项所述的制造方法，其特征在于，在所述第二有源区上形成第二栅氧化层，具体包括：
通过原位蒸汽生长ISSG工艺在所述第二有源区上形成第二栅氧化层。
9.根据权利要求1-6任一项所述的制造方法，其特征在于，所述退火处理的工艺条件为：温度900～1100℃；氧气流量2～4slm；退火时间30～90s。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
