[发明专利]一种浅沟槽隔离有源区的方法在审
| 申请号： | 201710772505.3 | 申请日： | 2017-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN107507802A | 公开（公告）日： | 2017-12-22 |
| 发明（设计）人： | 余德钦;周文斌;张磊;高永辉 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 王宝筠 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市东湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 沟槽 隔离 有源 方法 | ||
1.一种浅沟槽隔离有源区的方法，其特征在于，所述方法包括：
提供一衬底；
在所述衬底上形成预设形状的浅沟槽结构；
在所述浅沟槽结构的表面形成隔离氧化层；
在所述隔离氧化层背离所述浅沟槽结构的一侧形成阻挡层；
在所述浅沟槽结构内沉积薄膜，并进行退火处理。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述衬底为硅衬底。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述隔离氧化层的厚度为40A-50A。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述隔离氧化层为二氧化硅层。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述在所述隔离氧化层背离所述浅沟槽结构的一侧形成阻挡层包括：
在形成所述隔离氧化层的浅沟槽结构中，通过离子注入的方式掺杂氮离子；
所述氮离子与所述二氧化硅层发生化学反应，在所述隔离氧化层背离所述浅沟槽结构的一侧形成氮氧化硅层。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述通过离子注入的方式掺杂氮离子包括：
采用500W-1000W的等离子体射频功率，进行氮离子掺杂。
7.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述通过离子注入的方式掺杂氮离子包括：
采用15MT-25MT的工艺气压，进行氮离子掺杂。
8.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述通过离子注入的方式掺杂氮离子包括：
通过离子注入的方式掺杂氮离子的工艺时间为10S-40S。
9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述浅沟槽结构内沉积薄膜，并进行退火处理包括：
在所述浅沟槽结构内沉积薄膜完成后，进行20min-30min的退火处理。
10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述浅沟槽结构内沉积薄膜，并进行退火处理包括：
在所述浅沟槽结构内沉积薄膜完成后，采用700℃-800℃的温度进行退火处理。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于长江存储科技有限责任公司，未经长江存储科技有限责任公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710772505.3/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种清洗夹具
- 下一篇：基板及其制备方法、显示面板
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
