[发明专利]一种浅沟槽隔离有源区的方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体工艺技术领域，更具体地说，尤其涉及一种浅沟槽隔离有源区的方法。

背景技术

随着科学技术的不断发展，半导体器件的特征尺寸正逐步减小，现有的多步的沉积-刻蚀虽然能够改善HDP(High-Density-Plasma，高密度等离子体化学气相沉积)的填充能力，但是会使得工艺极为复杂，且沉积速度较慢，随着循环次数的增加，刻蚀对衬底的损坏会更加严重。

HARP(High-Aspect-Ratio-Process，高深宽比工艺)采用TEOS Ramp up技术在保证填充能力的条件下，获得较快的生长速率，使得HARP逐渐替代HDP工艺成为了市场了主流的填充技术。

但是，在现有技术中，衬底的浅沟槽形成之后，填充的薄膜材料在退火处理过程中，会与衬底之间发生化学反应，有效减小了衬底的尺寸，造成了有源区面积的损失。

发明内容

为解决上述问题，本发明提供了一种浅沟槽隔离有源区的方法，该方法保护有源区面积不会造成损失。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：

一种浅沟槽隔离有源区的方法，所述方法包括：

提供一衬底；

在所述衬底上形成预设形状的浅沟槽结构；

在所述浅沟槽结构的表面形成隔离氧化层；

在所述隔离氧化层背离所述浅沟槽结构的一侧形成阻挡层；

在所述浅沟槽结构内沉积薄膜，并进行退火处理。

优选的，在上述方法中，所述衬底为硅衬底。

优选的，在上述方法中，所述隔离氧化层的厚度为40A-50A。

优选的，在上述方法中，所述隔离氧化层为二氧化硅层。

优选的，在上述方法中，所述在所述隔离氧化层背离所述浅沟槽结构的一侧形成阻挡层包括：

在形成所述隔离氧化层的浅沟槽结构中，通过离子注入的方式掺杂氮离子；

所述氮离子与所述二氧化硅层发生化学反应，在所述隔离氧化层背离所述浅沟槽结构的一侧形成氮氧化硅层。

优选的，在上述方法中，所述通过离子注入的方式掺杂氮离子包括：

采用500W-1000W的等离子体射频功率，进行氮离子掺杂。

优选的，在上述方法中，所述通过离子注入的方式掺杂氮离子包括：

采用15MT-25MT的工艺气压，进行氮离子掺杂。

优选的，在上述方法中，所述通过离子注入的方式掺杂氮离子包括：

通过离子注入的方式掺杂氮离子的工艺时间为10S-40S。

优选的，在上述方法中，所述在所述浅沟槽结构内沉积薄膜，并进行退火处理包括：

在所述浅沟槽结构内沉积薄膜完成后，进行20min-30min的退火处理。

优选的，在上述方法中，所述在所述浅沟槽结构内沉积薄膜，并进行退火处理包括：

在所述浅沟槽结构内沉积薄膜完成后，采用700℃-800℃的温度进行退火处理。

通过上述描述可知，本发明提供的一种浅沟槽隔离有源区的方法包括：提供一衬底；在所述衬底上形成预设形状的浅沟槽结构；在所述浅沟槽结构的表面形成隔离氧化层；在所述隔离氧化层背离所述浅沟槽结构的一侧形成阻挡层；在所述浅沟槽结构内沉积薄膜，并进行退火处理。

通过设置隔离氧化层以及阻挡层结构，在退火处理过程中，消除了沉积的薄膜与衬底之间发生的化学反应，进而有效保护了衬底的尺寸，避免了有源区面积的损失。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。

图1为本发明实施例提供的一种浅沟槽隔离有源区的方法；

图2为本发明实施例提供的一种浅沟槽隔离有源区的工艺流程示意图。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细的说明。

参考图1，图1为本发明实施例提供的一种浅沟槽隔离有源区的方法。