[发明专利]一种三维存储器及其制备方法

权利要求书

1.一种三维存储器，其特征在于，包括：

衬底；

位于所述衬底表面的多个阵列结构，每两个相邻的阵列结构之间设置有共用源极，相邻的阵列结构和共用源极之间设置有隔离层；

位于所述衬底内部的共用源线，所述共用源极在所述衬底表面的投影完全覆盖所述共用源线表面；

所述共用源极包括钨金属电极和缓冲导电层，其中，所述钨金属电极覆盖所述缓冲导电层背离所述衬底一端，所述缓冲导电层至少覆盖所述钨金属电极朝向相邻所述阵列结构的两侧。

2.根据权利要求1所述的三维存储器，其特征在于，所述缓冲导电层由单晶硅、多晶硅、金属硅化物和金属氮化物中的一种或多种材料构成。

3.根据权利要求2所述的三维存储器，其特征在于，所述缓冲导电层覆盖所述钨金属电极朝向相邻所述阵列结构的两侧表面和所述共用源线表面。

4.根据权利要求1所述的三维存储器，其特征在于，所述阵列结构包括：

位于所述衬底表面平行排列的多个硅立柱和堆叠结构，所述硅立柱包括多晶硅介质层和包裹所述多晶硅介质层的多晶硅层。

5.根据权利要求4所述的三维存储器，其特征在于，所述堆叠结构包括：

位于所述硅立柱两侧的多层字线电极、多层第一介质层和多层存储介质层，多层所述字线电极和第一介质层交替堆叠设置，所述存储介质层位于所述字线电极和所述硅立柱之间，且与所述衬底接触。

6.根据权利要求4所述的三维存储器，其特征在于，所述堆叠结构包括：

位于所述硅立柱两侧、与所述硅立柱延伸方向相同的存储介质层；

位于所述存储介质层两侧的字线电极。

7.一种三维存储器的制备方法，其特征在于，包括：

提供衬底，所述衬底表面形成有多个阵列单元，所述阵列单元之间设有暴露出所述衬底的沟槽；

在所述沟槽中暴露出来的衬底中形成共用源线；

刻蚀去除所述阵列单元中的牺牲层，并在原牺牲层所在位置形成存储介质层，以获得阵列结构；

在所述共用源线背离所述衬底一侧沉积共用源极，所述共用源极包括钨金属电极和缓冲导电层，其中，所述钨金属电极覆盖所述缓冲导电层背离所述衬底一端，所述缓冲导电层至少覆盖所述钨金属电极朝向相邻所述阵列结构的两侧。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述在所述共用源线背离所述衬底一侧沉积共用源极包括：

在所述沟槽朝向相邻的阵列结构的两侧表面沉积缓冲导电层；

在所述沟槽的缓冲导电层之间沉积钨金属层，以形成钨金属电极，所述钨金属电极覆盖所述缓冲导电层背离所述衬底一端。

9.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述在所述共用源线背离所述衬底一侧沉积共用源极包括：

在所述沟槽的共用源线表面沉积钨金属层，以形成钨金属电极，所述钨金属电极与相邻的阵列结构之间具有缝隙；

在所述钨金属电极与相邻的阵列结构之间的缝隙中沉积缓冲导电层，所述钨金属电极覆盖所述缓冲导电层背离所述衬底一端。

10.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述在所述共用源线背离所述衬底一侧沉积共用源极包括：

在所述沟槽中沉积缓冲导电层，所述缓冲导电层覆盖所述沟槽朝向相邻所述阵列结构的两侧表面和所述共用源线表面；

在所述缓冲导电层表面沉积钨金属层，以形成钨金属电极，所述钨金属电极覆盖所述缓冲导电层背离所述衬底一端。