[发明专利]一种三维存储器台阶部位填充方法及三维存储器在审
| 申请号： | 201710773109.2 | 申请日： | 2017-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN107644877A | 公开（公告）日： | 2018-01-30 |
| 发明（设计）人： | 陶谦;胡禺石;吕震宇;肖莉红;戴晓望;陈俊 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L27/11551 | 分类号： | H01L27/11551;H01L27/11578 |
| 代理公司： | 北京辰权知识产权代理有限公司11619 | 代理人： | 刘广达 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 三维 存储器 台阶 部位 填充 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种三维存储器的台阶部位填充方法，其特征在于，包括以下步骤：
在由多层数据存储元件形成的层叠结构的顶部沉积一截止层，
使所述层叠结构形成台阶部位，并且以第一氧化层填充所述台阶部位；
对所述第一氧化层进行CMP处理，直至到达所述截止层时截止；
去除所述截止层；
在所述台阶部位和第一氧化层填充区域的顶面形成第二层氧化层；以及
对第二层氧化层上表面进行平坦化处理。
2.根据权利要求1所述的台阶部位填充方法，其特征在于，沉积的所述截止层的厚度范围为200-5000A。
3.根据权利要求1所述的台阶部位填充方法，其特征在于，湿法去除所述截止层。
4.根据权利要求1所述的台阶部位填充方法，其特征在于，在所述台阶部位和第一氧化层填充区域的顶面所形成的所述第二层氧化层的厚度范围是500-50000A。
5.根据权利要求1所述的台阶部位填充方法，其特征在于，通过CMP抛光工艺对所述第二氧化层进行平坦化。
6.一种三维存储器结构，其特征在于，包括：
衬底；
由多层数据存储元件层叠形成的台阶部位；
填充所述台阶部位的第一氧化层；以及
处于所述台阶部位和第一氧化层填充区域的顶面上的第二氧化层。
7.根据权利要求6所述的三维存储器结构，其特征在于，所述第二氧化层的顶面经过平坦化。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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