[发明专利]高电源电压低功耗低压差线性稳压器有效
| 申请号： | 201710773734.7 | 申请日： | 2017-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN107390772B | 公开（公告）日： | 2019-01-18 |
| 发明（设计）人： | 甄少伟;陈佳伟;王佳佳;曾鹏灏;武昕;罗萍;张波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学;电子科技大学广东电子信息工程研究院 |
| 主分类号： | G05F3/26 | 分类号： | G05F3/26 |
| 代理公司： | 成都虹桥专利事务所(普通合伙) 51124 | 代理人： | 李凌峰 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电源 压低 功耗 低压 线性 稳压器 | ||
1.高电源电压低功耗低压差线性稳压器，包括外部电源输入端及电压输出端，其特征在于，还包括PMOS管一、PMOS管二、JFET耐压管一、JFET耐压管二、NMOS管、NPN管一、NPN管二、二极管、电容、电阻一、电阻二、电阻三及电阻四，所述PMOS管一的源极、PMOS管二的源极及NMOS管的漏极都与外部电源输入端连接，PMOS管一的漏极与自身栅极连接，且与PMOS管二的栅极及JFET耐压管一的漏极连接，PMOS管二的漏极与JFET耐压管二的漏极连接，且与NMOS管的栅极及二极管的负极连接，JFET耐压管一的栅极与JFET耐压管二的栅极连接，且接地，JFET耐压管一的源极与NPN管一的集电极连接，JFET耐压管二的源极与NPN管二的集电极连接，NPN管一的发射极与电阻一的一端连接，电阻一的另一端与NPN管二的发射极连接，且通过电阻二接地，二极管的正极与NMOS管的源极连接，且与电阻三的一端连接，电阻三的另一端通过电阻四接地，且与NPN管一的基极及NPN管二的基极连接，电压输出端与NMOS管的源极连接，且通过电容接地。
2.根据权利要求1所述的高电源电压低功耗低压差线性稳压器，其特征在于，所述PMOS管一及PMOS管二均为增强型PMOS管；所述NMOS管为增强型NMOS管。
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