[发明专利]OLED显示装置及OLED显示装置的制备方法

权利要求书

1.一种OLED显示装置(100)，其特征在于，包括依次叠置的基板(1)、OLED单元(3)、光耦合层(7)及用于封装所述OLED单元(3)的封装层(8)，所述光耦合层(7)由适于光取出的无机材料制备，且直接形成在所述OLED单元(3)上，所述光耦合层(7)由熔融点大于等于550℃且小于等于750℃的无机材料制备，所述光耦合层(7)的折射率大于等于1.5且小于等于2.4，所述封装层(8)包括与所述基板(1)连接且覆盖于所述光耦合层(7)上的第一无机层(811)及依次叠设于所述第一无机层(811)上的第一有机层(813)和第二无机层(815)，所述第二无机层(815)将所述第一有机层(813)封装于其内，所述第一无机层(811)将所述OLED单元(3)和所述光耦合层(7)封装于其内，所述OLED单元(3)包括依次叠设于所述基板(1)上的第一电极层(31)、有机发光层(33)及第二电极层(35)，所述光耦合层(7)设于所述第二电极层(35)上，所述光耦合层(7)和所述第一无机层(811)之间形成防脱结构，所述防脱结构包括形成于所述光耦合层(7)的第一凹凸结构(73)和形成于所述第一无机层(811)的第二凹凸结构(83)，所述第一凹凸结构(73)与所述第二凹凸结构(83)啮合。

2.如权利要求1所述的OLED显示装置，其特征在于，所述光耦合层(7)的材料为四氟化锆或者硼酸铋。

3.一种OLED显示装置的制备方法，其特征在于，包括：

S1，在基板(1)上制备OLED单元(3)，所述OLED单元(3)包括依次叠设于基板(1)上的第一电极层(31)、有机发光层(33)及第二电极层(35)；

S2，在所述OLED单元(3)上采用无机材料沉积形成光耦合层(7)，所述光耦合层(7)由熔融点大于等于550℃且小于等于750℃的无机材料制备，所述光耦合层(7)的折射率大于等于1.5且小于等于2.4；

S3，在所述光耦合层(7)形成第一凹凸结构(73)；

S4，在所述光耦合层(7)上形成第一无机层(811)以封装所述OLED单元(3)和所述光耦合层(7)，所述第一无机层(811)靠近所述光耦合层(7)的一侧形成与所述第一凹凸结构(73)配合的第二凹凸结构(83)；

S5，在所述第一无机层(811)上依次形成第一有机层(813)和第二无机层(815)，所述第二无机层(815)封装所述第一有机层(813)。

4.如权利要求3所述的OLED显示装置的制备方法，其特征在于，所述第一凹凸结构(73)通过掩膜蒸镀的方式在所述光耦合层(7)直接形成；或者是通过先沉积整片所述光耦合层(7)，再通过光刻的方法刻蚀形成。