[发明专利]OLED显示装置及OLED显示装置的制备方法

说明书

一种OLED显示装置，包括依次叠置的基板、OLED单元、光耦合层及用于封装所述OLED单元的封装层，所述光耦合层由适于光取出的无机材料制备，且直接形成在所述OLED单元上。一种OLED显示装置的制备方法包括：S1，在基板上制备OLED单元；S2，在OLED单元上采用无机材料沉积形成光耦合层；S3，在光耦合层上形成封装层以封装OLED单元。本实施例提供的OLED显示装置及OLED显示装置的制备方法通过由无机材料制备光耦合层，增大了光耦合层与封装层的粘附性，并且解决了光耦合层易损伤的问题，使OLED显示装置在弯折时，减少了光耦合层和封装层脱膜的现象，提高了OLED显示装置的弯折可靠性。

技术领域

本发明涉及发光二极管技术领域，特别是涉及一种OLED显示装置及OLED显示装置的制备方法。

背景技术

把有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode，OLED)制备在柔性基底上，以此来实现柔性显示是未来显示技术发展的一种重要方向。

相关技术中，在薄膜封装的OLED显示装置中，为了减少OLED显示装置的出光损失，会在OLED发光单元和封装层之间插入一层CPL层(Coupling Layer，光耦合层)来提高光取出率。CPL层多采用有机材料通过蒸镀工艺加工而成，而有机材料制成的CPL层与薄膜封装层之间的粘附力差。

因此，有必要提供一种新的OLED显示装置及OLED显示装置的制备方法以解决上述问题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种OLED显示装置及OLED显示装置的制备方法，解决现有的OLED显示装置的CPL层与薄膜封装层粘附性差的问题。

本发明实施例提供一种OLED显示装置，包括依次叠置的基板、OLED单元、光耦合层及用于封装所述OLED单元的封装层，所述光耦合层由适于光取出的无机材料制备，且直接形成在所述OLED单元上，所述光耦合层由熔融点大于等于550℃且小于等于750℃的无机材料制备，所述光耦合层的折射率大于等于1.5且小于等于2.4，所述封装层包括与所述基板连接且覆盖于所述光耦合层上的第一无机层及依次叠设于所述第一无机层上的第一有机层和第二无机层，所述第二无机层将所述第一有机层封装于其内，所述第一无机层将所述OLED单元和所述光耦合层封装于其内，所述OLED单元包括依次叠设于所述基板上的第一电极层、有机发光层及第二电极层，所述光耦合层设于所述第二电极层上，所述光耦合层和所述第一无机层之间形成防脱结构，所述防脱结构包括形成于所述光耦合层的第一凹凸结构和形成于所述第一无机层的第二凹凸结构，所述第一凹凸结构与所述第二凹凸结构啮合。

优选的，所述光耦合层的材料为四氟化锆或者硼酸铋。

本发明实施例还提供一种OLED显示装置的制备方法，所述OLED显示装置的制备方法包括：

S1，在基板上制备OLED单元，所述OLED单元包括依次叠设于基板上的第一电极层、有机发光层及第二电极层；

S2，在所述OLED单元上采用无机材料沉积形成光耦合层，所述光耦合层由熔融点大于等于550℃且小于等于750℃的无机材料制备，所述光耦合层的折射率大于等于1.5且小于等于2.4；

S3，在所述光耦合层形成第一凹凸结构；

S4，在所述光耦合层上形成第一无机层以封装所述OLED单元和所述光耦合层，所述第一无机层靠近所述光耦合层的一侧形成与所述第一凹凸结构配合的第二凹凸结构；

S5，在所述第一无机层上依次形成第一有机层和第二无机层，所述第二无机层封装所述第一有机层。

上述制备方法中，所述第一凹凸结构通过掩膜蒸镀的方式在所述光耦合层直接形成；或者是通过先沉积整片所述光耦合层，再通过光刻的方法刻蚀形成。