[发明专利]一种金属玷污的检测方法有效
| 申请号： | 201710775070.8 | 申请日： | 2017-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN108333202B | 公开（公告）日： | 2021-08-10 |
| 发明（设计）人： | 吴良辉;吴关平;万先进;蒋阳波;张静平;汪亚军;李冠男 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | G01N23/2209 | 分类号： | G01N23/2209 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 党丽;王宝筠 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市东湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 金属 玷污 检测 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种金属玷污的检测方法，其特征在于，包括：
S01，提供检测用晶片，所述检测用晶片为空白晶片，所述空白晶片为单晶结构的衬底；
S02，将检测用晶片放置于被检测设备中并静置预设时间；
S03，在检测用晶片上外延生长外延层，所述外延层具有单晶结构；
S04，对检测用晶片进行缺陷扫描，通过缺陷扫描结果判断是否存在金属玷污；
所述外延层的厚度为800-1200埃；
所述检测用晶片为硅晶片，所述外延生长外延层包括：
通过分解硅烷外延生长外延层，外延生长的温度范围为800-1200℃；若检测用晶片不存在金属玷污，还包括：再次利用所述检测用晶片，进行步骤S02-S04。
2.根据权利要求1所述的检测方法，其特征在于，所述通过缺陷扫描结果判断是否存在金属玷污，包括：
判断缺陷扫描结果中是否有特定形状的缺陷，若有，则存在金属污染；反之，则不存在金属污染。
3.根据权利要求2所述的检测方法，其特征在于，存在金属污染时，还包括：
进行金属污染成分的分析。
4.根据权利要求3所述的检测方法，其特征在于，通过EDX进行金属污染成分的分析。
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