[发明专利]一种金属玷污的检测方法

说明书

本发明提供一种金属玷污的检测方法，提供检测用晶片，将将检测用晶片放置于被检测设备中并静置预设时间之后，在检测用晶片上外延生长外延层，对检测用晶片进行缺陷扫描，通过缺陷扫描结果判断是否存在金属玷污。外延生长为沿着晶片的晶格生长的方法，若存在金属污染，金属污染物落在晶片上，会破坏正常晶格的生长，同时生长速度比正常晶格生长的快而没有规律，会在外延层的表面形成类似于虫子的特定缺陷形貌，根据该缺陷，可以直观地进行是否存在金属玷污的判断，外延生长的速度快，比检测设备的检测时间更快，提高检测效率。此外，对于没有沾污的晶片，还可以重复利用，再次进行检测，可以降低检测成本。

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，特别涉及一种金属玷污的检测方法。

背景技术

在半导体制造工艺中，生产设备中会存在金属污染物的情况，这会对待加工晶片中的器件造成不良的影响，影响晶片良率。

目前，主要通过专用的检测设备来检测金属污染，具体的，在怀疑有金属污染进入生产设备时，将没有进行过任何加工的空白晶片(bare wafer)放入到生产设备中，静置一段时间之后，将该空白晶片放入到检测设备中，检测设备至少需要90分钟或更长时间，在检测之后，无论测试结果如何，该片空白晶片都不能够再被循环使用。这种方式，需要较长的检测时间，同时会增加检测的成本高。

发明内容

有鉴于此，本发明的目的在于提供一种金属玷污的检测方法，提高检测效率，降低检测成本。

为实现上述目的，本发明有如下技术方案：

一种金属玷污的检测方法，包括：

S01，提供检测用晶片，所述检测用晶片为空白晶片；

S02，将检测用晶片放置于被检测设备中并静置预设时间；

S03，在检测用晶片上外延生长外延层；

S04，对检测用晶片进行缺陷扫描，通过缺陷扫描结果判断是否存在金属玷污。

可选地，若检测用晶片不存在金属玷污，还包括：再次利用所述检测用晶片，进行步骤S02-S04。

可选地，所述外延层的厚度为800-1200埃。

可选地，检测用晶片为硅晶片，所述外延生长外延层包括：

通过分解硅烷外延生长外延层，外延生长的温度范围为800-1200℃。

可选地，外延生长的温度为708℃，外延层的厚度为1000埃。

可选地，所述通过缺陷扫描结果判断是否存在金属玷污，包括：

判断缺陷扫描结果中是否有特定形状的缺陷，若有，则存在金属污染；反之，则不存在金属污染。

可选地，存在金属污染时，还包括：

进行金属污染成分的分析。

可选地，通过EDX进行金属污染成分的分析。

本发明实施例提供的金属玷污的检测方法，提供检测用晶片，将将检测用晶片放置于被检测设备中并静置预设时间之后，在检测用晶片上外延生长外延层，对检测用晶片进行缺陷扫描，通过缺陷扫描结果判断是否存在金属玷污。外延生长为沿着晶片的晶格生长的方法，若存在金属污染，金属污染物落在晶片上，会破坏正常晶格的生长，同时生长速度比正常晶格生长的快而没有规律，会在外延层的表面形成类似于虫子的特定缺陷形貌，根据该缺陷，可以直观地进行是否存在金属玷污的判断，外延生长的速度快，比检测设备的检测时间更快，提高检测效率。此外，对于没有沾污的晶片，还可以重复利用，再次进行检测，可以降低检测成本。

附图说明