[发明专利]一种晶片清洗方法在审
| 申请号： | 201710775192.7 | 申请日： | 2017-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN107393812A | 公开（公告）日： | 2017-11-24 |
| 发明（设计）人： | 刘旭华;蒋阳波;汪亚军;李君;刘开源 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 王雪,王宝筠 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市东湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 晶片 清洗 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种晶片清洗方法，其特征在于，所述方法包括：
在单片式机台中，采用臭氧去离子水混合液清洗晶片，而后，采用SC1清洗液清洗所述晶片。
2.根据权利要求1所述的清洗方法，其特征在于，所述晶片清洗方法应用于薄膜生长之前的清洗。
3.根据权利要求1所述的清洗方法，其特征在于，所述晶片清洗方法应用于光阻的清洗。
4.根据权利要求1所述的清洗方法，其特征在于，所述晶片清洗方法应用于干法刻蚀之后的清洗。
5.根据权利要求1-4中任一项所述的清洗方法，其特征在于，采用SC1清洗液清洗的温度为35℃至80℃。
6.根据权利要求5所述的清洗方法，其特征在于，采用SC1清洗液清洗的温度为50℃至70℃。
7.根据权利要求6所述的清洗方法，其特征在于，采用SC1清洗液清洗的时间为30-124s。
8.根据权利1-4中任一项所述的清洗方法，其特征在于，所述Ozone中O3的浓度为5ppm至80ppm。
9.根据权利1-4中任一项所述的清洗方法，其特征在于，所述SC1清洗液中各成分的体积比为NH4OH:H2O2:H2O＝1：1～4：50～200。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
