[发明专利]一种晶片清洗方法

说明书

技术领域

本申请涉及半导体器件清洗工艺，具体涉及一种晶片清洗方法。

背景技术

在半导体制造工艺中，晶片的清洗是最常用的工艺之一。晶片的清洗的目的是去除附着在晶片表面上的有机物、金属或其他颗粒等附着物，以避免附着物会对后续的工艺的不良影响。

现有技术中，对晶片进行清洗的方法一般是利用SC1(氨水过氧化氢混合液)和HOM(盐酸臭氧混合液和mega)或SPM(硫酸过氧化氢混合液)完成。随着器件集成度的不断提高，这种清洗方法对晶片表层颗粒的清洗效果，已经无法满足清洗工艺的要求。

发明内容

有鉴于此，本申请提供了一种晶片清洗方法，能够提高对晶片表层附着物的清洗效果，同时还能够减少化学品的使用量，降低成本。

本发明实施例提供了一种晶片清洗方法，所述方法包括：

在单片式机台中，采用臭氧去离子水混合液清洗晶片，而后，采用SC1清洗液清洗所述晶片。

可选的，所述晶片清洗方法应用于薄膜生长之前的清洗。

可选的，所述晶片清洗方法应用于光阻的清洗。

可选的，所述晶片清洗方法应用于干法刻蚀之后的清洗。

可选的，采用SC1清洗液清洗的温度为35℃至80℃。

可选的，采用SC1清洗液清洗的温度为50℃至70℃。

可选的，采用SC1清洗液清洗的时间为30-124s。

可选的，所述Ozone中O₃的浓度为5ppm至80ppm。

可选的，所述SC1清洗液中各成分的体积比为NH₄OH:H₂O₂:H₂O＝1：1～4：50～200。

本发明提供的晶片清洗方法，采用单片式机台进行清洗，清洗时，先采用Ozone进行清洗，由于Ozone具有氧化作用，能够将污染物或晶片表面的膜层进一步氧化，在后续采用SC1清洗液清洗时，更易于清除附着物。此外，单片式机台的清洗方式是一次只清洗一个晶片，能够避免交叉感染。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本发明实施例提供的一种晶片清洗方法的流程图；

图2为对晶片表层颗粒清洗的效果对比图。

具体实施方式

下面将参考附图并结合实施例来详细说明本申请。需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。

需要注意的是，这里所使用的术语仅是为了描述具体实施方式，而非意图限制根据本申请的示例性实施方式。如在这里所使用的，除非上下文另外明确指出，否则单数形式也意图包括复数形式，此外，还应当理解的是，当在本说明书中使用属于“包含”和/或“包括”时，其指明存在特征、步骤、操作、器件、组件和/或它们的组合。

为了便于描述，在这里可以使用空间相对术语，如“在……之上”、“在……上方”、“在……上表面”、“上面的”等，用来描述如在图中所示的一个器件或特征与其他器件或特征的空间位置关系。应当理解的是，空间相对术语旨在包含除了器件在图中所描述的方位之外的在使用或操作中的不同方位。例如，如果附图中的器件被倒置，则描述为“在其他器件或构造上方”或“在其他器件或构造之上”的器件之后将被定位为“在其他器件或构造下方”或“在其他器件或构造之下”。因而，示例性术语“在……上方”可以包括“在……上方”和“在……下方”两种方位。该器件也可以其他不同方式定位(旋转90度或处于其他方位)，并且对这里所使用的空间相对描述作出相应解释。

正如背景技术所介绍的，现有技术中利用SC1和HOM或SPM的晶片清洗方法已经无法满足目前清洗工艺的要求，为了提高对晶片表层颗粒清洗的效果，本发明采用臭氧去离子水混合液(Ozone)和SC1清洗液的清洗方式，对晶片表层附着物进行去除，产生更好的清洗效果。同时，现有技术中的清洗工艺中使用的HOM和SPM价格高昂，使得制造成本提高，本发明利用几乎零成本的臭氧去离子水混合液，明显的降低了清洗成本。

参考图1，为本发明实施例提供的一种晶片清洗方法的流程图，其中，所述晶片清洗方法包括：

在单片式机台中，S1：采用臭氧去离子水混合液清洗晶片；而后，S2：采用SC1清洗液清洗所述晶片。