[发明专利]一种3D NAND器件栅线缝隙氧化物的沉积的方法

权利要求书

1.一种3D NAND器件栅线缝隙氧化物的沉积方法，在通过栅线缝隙形成栅线并进行清洗之后，进行所述氧化物的沉积，其特征在于，所述沉积方法包括：

将衬底置于用于氧化物沉积的反应腔中，对所述衬底进行除湿处理；

进行栅线缝隙氧化物的沉积；

其中，所述除湿处理包括多次循环处理，每次循环处理的步骤包括：

对反应腔进行真空处理，以降低反应腔内的气压；

当反应腔内的气压低于大气压时，向反应腔通入气体，以使反应腔内真空处理后的低气压上升。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述向反应腔通入气体，包括：

向所述反应腔通入氮气或惰性气体。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述真空处理包括：通过真空泵抽取反应腔中的气体。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述真空处理后反应腔内的气压范围为0-0.5torr。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述真空处理的时间由反应腔的体积和真空泵的功率确定。

6.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述循环处理的次数为20-60次。

7.根据权利要求1-6任一项所述的方法，其特征在于，该方法还包括：

通过湿度检测仪进行反应腔中湿度的检测；

若反应腔中的湿度低于湿度阈值，则停止除湿处理。

8.根据权利要求1-6中任一项所述的方法，其特征在于，所述通过栅线缝隙形成栅线，包括：

进行金属材料的填充并进行金属材料的回刻。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述金属材料为钨。

10.根据权利要求1-6中任一项所述的方法，其特征在于，采用原子层沉积进行栅线缝隙氧化物的沉积。