[发明专利]一种3D NAND器件栅线缝隙氧化物的沉积的方法

说明书

本发明实施例提供一种3D NAND器件栅线缝隙氧化物的沉积方法，在通过栅线缝隙形成栅线并进行清洗之后，进行所述氧化物的沉积，该方法包括：将衬底置于用于氧化物沉积的反应腔中，对所述衬底进行除湿处理，然后进行栅线缝隙氧化物的沉积。实现了3D NAND器件栅线缝隙氧化物的均匀沉积，提高了栅线缝隙表面氧化物沉积的覆盖率，提高了氧化物的绝缘性，减小短路的存在，优化了器件的性能。

技术领域

本发明涉及半导体领域，尤其涉及一种3D NAND器件栅线缝隙氧化物的沉积的方法。

背景技术

NAND闪存是一种质量轻、性能佳的非易失性存储产品，3D NAND是一种三维的闪存类型，通过把内存颗粒堆叠在一起来解决平面(2D)NAND闪存的限制，采用垂直堆叠多层数据存储单元的方式，实现堆叠式的存储器结构。

在3D NAND的制造工艺中，如图1所示，先在衬底100上形成氮化硅层(图未示出)和氧化硅层102的堆叠层101，在堆叠层中形成沟道孔103，在沟道孔中形成沟道层；之后，在所述堆叠层上形成栅线缝隙104(gate lineseam)，通过栅线缝隙将堆叠层中的氮化硅层去除，去除氮化硅的镂空区域用金属填充，形成栅线105，将作为所形成存储器件的控制栅极。在形成栅线105之后，沉积氧化物薄膜106，将作为栅线105和后续的金属填充107隔开，防止发生短路。

现有技术中，沉积的氧化物薄膜覆盖性差，厚度不均，导致器件的性能下降，因此需要一种能够改善薄膜在栅线缝隙表面沉积的覆盖能力的方法。

发明内容

本发明提供了一种3D NAND器件栅线缝隙氧化物的沉积的方法，改善了氧化物薄膜的覆盖能力，提高了氧化物的绝缘性，优化了器件的性能。

本发明提供了一种3D NAND器件栅线缝隙氧化物的沉积方法，在通过栅线缝隙形成栅线并进行清洗之后，进行所述氧化物的沉积，所述沉积方法包括：

将衬底置于用于氧化物沉积的反应腔中，对所述衬底进行除湿处理；

进行栅线缝隙氧化物的沉积。

可选地，所述除湿处理包括多次循环处理，每次循环处理的步骤包括：对所述反应腔进行真空处理；向所述反应腔通入氮气或惰性气体。

可选地，所述真空处理是通过真空泵抽取反应腔中的气体实现的。

可选地，所述真空处理后反应腔内的气压范围为0-0.5torr。

可选地，所述真空处理的时间由反应腔的体积和真空泵的功率确定。

可选地，所述循环处理的次数为20-60次。

可选地，所述方法还包括：通过湿度检测仪进行反应腔中湿度的检测；若反应腔中的湿度低于湿度阈值，则停止除湿处理。

可选地，所述通过栅线缝隙形成栅线，包括：进行金属材料的填充并进行金属材料的回刻。

可选地，所述金属材料为钨。

可选地，采用原子层沉积进行栅线缝隙氧化物的沉积。

本发明实施例提供的3D NAND器件栅线缝隙氧化物的沉积方法，在通过栅线缝隙形成栅线并进行清洗之后，进行所述氧化物的沉积，将衬底置于用于氧化物沉积的反应腔中，对所述衬底进行除湿处理，然后进行栅线缝隙氧化物的沉积。该方法中，在栅线缝隙氧化物沉积之前，进行了除湿处理，使得沉积之前的栅线缝隙中不存在清洗液体的残留，栅线缝隙从上之下都是干燥的，利于提高3D NAND器件栅线缝隙氧化物的均匀沉积，可以有效改善栅线缝隙表面氧化物沉积的覆盖率，提高了氧化物的绝缘性，减小短路的存在，优化了器件的性能。

附图说明