[发明专利]瞬态电压抑制器及其制造方法

权利要求书

1.一种瞬态电压抑制器，其特征在于，包括：

第一掺杂类型的半导体衬底；

位于所述半导体衬底第一表面上的第一掺杂类型的第一外延层；

位于所述外延层中的第二掺杂类型的埋层，其中，第一掺杂类型和第二掺杂类型不同；

位于所述第一外延层上的第一掺杂类型的第二外延层；

分别从所述第二外延层表面延伸至所述埋层中和所述第二外延层中的第二掺杂类型的第一隔离区和第一掺杂类型的第二隔离区，所述第一隔离区和所述第二隔离区分别用于在所述第二外延层中形成第一隔离岛和第二隔离岛；以及

分别位于所述第一隔离岛和所述第二隔离岛中从所述外延层表面延伸至所述第二外延层中的第一掺杂类型的第一掺杂区和第二掺杂类型的第二掺杂区，

其中，所述第一掺杂区和所述第二掺杂区之间电性连接。

2.根据权利要求1所述的瞬态电压抑制器，其特征在于，还包括绝缘层，所述绝缘层位于所述第二外延层上。

3.根据权利要求2所述的瞬态电压抑制器，其特征在于，还包括第一电极，所述第一电极穿过所述绝缘层与所述第一掺杂区和所述第二掺杂区电性连接。

4.根据权利要求1所述的瞬态电压抑制器，其特征在于，还包括位于所述半导体衬底第二表面的第二电极，所述第一表面和所述第二表面彼此相对。

5.根据权利要求1所述的瞬态电压抑制器，其特征在于，所述第二隔离区围绕所述第二掺杂区。

6.根据权利要求1所述的瞬态电压抑制器，其特征在于，所述第二外延层的掺杂浓度小于所述第一外延层的掺杂浓度。

7.根据权利要求1所述的瞬态电压抑制器，其特征在于，所述埋层的掺杂浓度不小于E17cm^-3，所述第一隔离区的掺杂浓度不小于E18cm^-3，所述第二隔离区的掺杂浓度不小于E18cm^-3，所述第一掺杂区的注入剂量不小于E14cm^-2，所述第二掺杂区的掺杂浓度不小于E18cm^-3。

8.根据权利要求1所述的瞬态电压抑制器，其特征在于，所述第二外延层的厚度不小于5μm。

9.根据权利要求1所述的瞬态电压抑制器，其特征在于，所述第一掺杂类型为N型或P型，所述第二掺杂类型为N型或P型中的另一个。

10.一种瞬态电压抑制器的制造方法，其特征在于，包括：

在第一掺杂类型的半导体衬底的第一表面形成第一掺杂类型的第一外延层；

在所述第一外延层中形成第二掺杂类型的埋层；

在所述第一外延层上形成第一掺杂类型的第二外延层；

在所述第二外延层中形成分别从所述第二外延层表面延伸至所述埋层中和所述第二外延层中的第二掺杂类型的第一隔离区和第一掺杂类型的第二隔离区，所述第一隔离区和所述第二隔离区分别用于在所述第二外延层中形成第一隔离岛和第二隔离岛；

在所述第二外延层位于所述第一隔离岛和第二隔离岛的部分中分别形成第一掺杂类型的第一掺杂区和第二掺杂类型的第二掺杂区；以及

将所述第一掺杂区和所述第二掺杂区电性连接。

11.根据权利要求10所述的瞬态电压抑制器的制造方法，其特征在于，形成所述第一掺杂区和所述第二掺杂区之间的电性连接的步骤包括：

在所述第二外延层上形成绝缘层；

形成穿过所述绝缘层的第一电极，第一电极与所述第一掺杂区和所述第二掺杂区电性连接。

12.根据权利要求10所述的瞬态电压抑制器的制造方法，其特征在于，还包括形成位于所述半导体衬底第二表面的第二电极，所述第一表面和所述第二表面彼此相对。

13.根据权利要求10所述的瞬态电压抑制器的制造方法，其特征在于，所述第二隔离区围绕所述第二掺杂区。

14.根据权利要求10所述的瞬态电压抑制器的制造方法，其特征在于，所述第一掺杂类型为N型或P型，所述第二掺杂类型为N型或P型中的另一个。