[发明专利]提高沟道通孔均一性的三维存储器形成方法

权利要求书

1.一种提高沟道通孔均一性的三维存储器形成方法，其特征在于，包括：

提供含有衬底和叠层结构的主体结构，所述叠层结构形成于所述衬底上；

在所述叠层结构上形成顶层选择门；

在含有顶层选择门的叠层结构上形成沟道通孔，使每个顶层选择门对应预设列的沟道通孔，并将远离顶层选择门的最外侧的两列沟道通孔作为虚拟孔；

对所述虚拟孔依次进行氧化物填充、刻蚀、金属填充工艺，形成栅极线。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述叠层结构，具体为：多层交错堆叠的氧化物层和氮化物层，所述氮化物层形成于相邻的氧化物层之间。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述叠层结构上形成顶层选择门，具体包括：

刻蚀所述叠层结构形成凹槽；

对所述凹槽进行氧化物填充形成顶层选择门，并形成覆盖所述叠层结构上表面的第一氧化物层。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述在含有顶层选择门的叠层结构上形成沟道通孔，使每个顶层选择门对应预设列的沟道通孔，具体包括：

在所述第一氧化物层上形成硬掩膜层，所述硬掩膜层自上至下包括：第一硬掩膜层、第二硬掩膜层和第三硬掩膜层；并在所述第一硬掩膜层上形成第一光阻层，对所述第一光阻层进行图案化处理至呈现所述第一硬掩膜层的上表面，并形成第一图案，使每个顶层选择门对应11列所述第一图案；

以所述第一光阻层为掩膜，刻蚀所述第一硬掩膜层和所述第二硬掩膜层形成与所述第一图案对应的开口，并去除所述第一光阻层；

以含有开口的第一硬掩膜层和含有开口的第二硬掩膜层为掩膜进行刻蚀形成沟道通孔，并去除所述含有开口的第一硬掩膜层和部分所述含有开口的第二硬掩膜层；

去除剩余的所述含有开口的第二硬掩膜层及所述沟道通孔中的聚合物，并进行清洗。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，采用湿法刻蚀工艺去除所述第一光阻层；采用干法刻蚀工艺去除所述含有开口的第一硬掩膜层；采用灰化工艺去除部分所述含有开口的第二硬掩膜层；采用湿法刻蚀工艺去除所述沟道通孔中的聚合物。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对所述虚拟孔依次进行氧化物填充、刻蚀、金属填充工艺，形成栅极线，具体为：对所述虚拟孔依次进行二氧化硅填充、刻蚀、钨填充工艺，形成栅极线。

7.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述对所述虚拟孔依次进行氧化物填充、刻蚀、金属填充工艺，形成栅极线，具体包括：

在所述第三硬掩膜层上形成第二光阻层；

对所述第二光阻层进行图案化处理，至形成的第二图案与所述虚拟孔对应贯通，且形成的第二图案与所述虚拟孔的宽度相同；

采用旋转涂布法对贯通的虚拟孔进行氧化物填充，并形成覆盖所述第二光阻层上表面的第二氧化物层后，进行紫外光烘烤；

去除所述第二氧化物层和所述第二光阻层；

形成第三光阻层，并对所述第三光阻层进行图案化处理，至呈现已填充的虚拟孔的上表面，且形成的第三图案的宽度大于所述已填充的虚拟孔的宽度；

以含有第三图案的第三光阻层为掩膜进行刻蚀形成栅极线沟槽，并去除所述第三光阻层；

对所述栅极线沟槽进行金属填充形成栅极线。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，采用干法刻蚀工艺去除所述第二氧化物层，采用湿法刻蚀工艺去除所述第二光阻层和所述第三光阻层。

9.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，对所述栅极线沟槽进行填充之后，还包括：进行平坦化处理。