[发明专利]用于三维存储器的晶圆三维集成引线工艺及其结构

权利要求书

1.一种晶圆三维集成引线工艺，其特征在于，包括以下步骤：

提供一第一晶圆，该第一晶圆具有相对设置的正面和背面，在该第一晶圆的正面表面沉积绝缘层，在该绝缘层上沉积多晶硅层；

对该多晶硅层进行图案化，得到多晶硅图形并暴露至少一部分绝缘层表面；

在该绝缘层表面以及多晶硅图形之上制造半导体器件，该半导体器件包括多个接触孔，该接触孔中填充有金属材料，该接触孔的一端穿过该绝缘层与该第一晶圆的正面表面接触；

将包括该半导体器件的第一晶圆的半导体器件一侧与第二晶圆键合，并将该第一晶圆的背面进行减薄，通过减薄露出该绝缘层以及该接触孔的一端；

在露出的绝缘层上沉积引线金属层，并对该引线金属层利用微影和刻蚀工艺定义引线结构，该引线结构与该接触孔的一端电连接。

2.如权利要求1所述的晶圆三维集成引线工艺，其特征在于，该绝缘层的材质为氧化物、氮化物或氮氧化物之一或其任意组合。

3.如权利要求1或2所述的晶圆三维集成引线工艺，其特征在于，该绝缘层的厚度为0.3微米至5微米。

4.如权利要求1所述的晶圆三维集成引线工艺，其特征在于，该半导体器件为三维存储器，该三维存储器包括顺序远离该第一晶圆正面的三维存储器件层和第一金属层，该接触孔位于该三维存储器件层内，该接触孔的一端与该第一晶圆的正面接触，该接触孔的另一端与该第一金属层接触。

5.如权利要求1所述的晶圆三维集成引线工艺，其特征在于，在形成引线结构之后，在该露出的绝缘层表面以及引线结构上沉积保护层，并通过微影和刻蚀工艺形成保护层结构。

6.如权利要求5所述的晶圆三维集成引线工艺，其特征在于，该保护层的材质为氧化物、氮化物或氮氧化物之一或其任意组合。

7.如权利要求1所述的晶圆三维集成引线工艺，其特征在于，该金属材料包括铜、铝、锡或钨之一或其任意组合。

8.如权利要求1所述的晶圆三维集成引线工艺，其特征在于，该引线金属层的材料包括铜、银、铝、锡或钨之一或其任意组合。

9.如权利要求1所述的晶圆三维集成引线工艺，其特征在于，该第一晶圆和/或该第二晶圆的材质为硅、锗、三五族半导体化合物、碳化硅或绝缘衬底上的硅之一或其任意组合。

10.一种用于三维存储器的晶圆三维集成引线工艺，该工艺包括如权利要求1至8任意一项所述的晶圆三维集成引线工艺，其特征在于，该半导体器件为三维存储器，该三维存储器包括顺序远离该第一晶圆正面的三维存储器件层和第一金属层，该接触孔位于该三维存储器件层内，该接触孔的一端与该第一晶圆的正面接触，该接触孔的另一端与该第一金属层接触；该三维存储器件层包括多个存储单元重复堆叠而形成。

11.如权利要求10所述的用于三维存储器的晶圆三维集成引线工艺，其特征在于，该三维存储器件层的厚度在大于等于1微米、小于等于50微米之间。

12.一种用于三维存储器的晶圆三维集成引线结构，其特征在于，该结构由如权利要求1至11任一项所述的工艺制成。