[发明专利]抛光设备的抛光压力控制方法、装置和抛光设备

权利要求书

1.一种抛光设备的抛光压力控制方法，其特征在于，包括以下步骤：

对所述抛光设备所加工的晶圆的多个施压区域分别施加对应的抛光压力以进行抛光处理；

获取所述多个施压区域中每个施压区域的抛光厚度，并获取抛光时间；

根据所述每个施压区域的抛光厚度和所述抛光时间计算所述每个施压区域的去除速率；

在抛光预设数量的晶圆后，根据获取的所述每个施压区域的所述预设数量的去除速率计算所述每个施压区域的平均去除速率；

根据所述每个施压区域的平均去除速率对所述每个施压区域的抛光压力进行调整，并以调整后的抛光压力对待抛光晶圆进行抛光处理。

2.根据权利要求1所述的抛光设备的抛光压力控制方法，其特征在于，获取所述多个施压区域中每个施压区域的抛光厚度包括以下步骤：

获取所述每个施压区域在对应的所述抛光压力施加前的前值厚度；

获取所述每个施压区域在对应的所述抛光压力施加后的后值厚度；

根据所述每个施压区域的前值厚度与所述每个施压区域的后值厚度的差值获取所述每个施压区域的抛光厚度。

3.根据权利要求2所述的抛光设备的抛光压力控制方法，其特征在于，获取所述每个施压区域在对应的所述抛光压力施加前的前值厚度具体包括：

根据获取的所述每个施压区域的多个采集点处的前值厚度的平均值得出所述每个施压区域的前值厚度。

4.根据权利要求2所述的抛光设备的抛光压力控制方法，其特征在于，获取所述每个施压区域在对应的所述抛光压力施加后的后值厚度具体包括：

根据获取的所述每个施压区域的多个采集点处的后值厚度的平均值得出所述每个施压区域的后值厚度。

5.根据权利要求1所述的抛光设备的抛光压力控制方法，其特征在于，根据以下公式计算所述每个施压区域的去除速率：

其中，V为所述每个施压区域的去除速率，Removal为所述每个施压区域的抛光厚度，T为所述抛光时间。

6.根据权利要求1所述的抛光设备的抛光压力控制方法，其特征在于，所述预设数量为N，在抛光第一个至第N个晶圆后，根据以下公式计算所述每个施压区域的平均去除速率：

其中，为所述每个施压区域的平均去除速率，V为所述每个施压区域的去除速率，k₀的取值范围为0.5-1.0。

7.根据权利要求1所述的抛光设备的抛光压力控制方法，其特征在于，根据以下公式对所述每个施压区域的抛光压力进行调整：

其中，P＇为调整后的抛光压力，P为调整前的抛光压力，R_q为所述待抛光晶圆的每个施压区域在P＇施加前的前值厚度，Target为所述待抛光晶圆的每个施压区域的基准后值厚度，为所述每个施压区域的平均去除速率，T_n+1为所述待抛光晶圆的抛光时间。

8.一种抛光设备的抛光压力控制装置，其特征在于，包括：

抛光处理模块，所述抛光处理模块用于对所加工的晶圆的多个施压区域分别施加对应的抛光压力以进行抛光处理；

第一获取模块，所述第一获取模块用于获取所述多个施压区域中每个施压区域的抛光厚度；

第二获取模块，所述第二获取模块用于获取抛光时间；

第一计算模块，所述第一计算模块根据所述每个施压区域的抛光厚度和所述抛光时间计算所述每个施压区域的去除速率；

第二计算模块，在抛光预设数量的晶圆后，所述第二计算模块根据获取的所述每个施压区域的所述预设数量的去除速率计算所述每个施压区域的平均去除速率；

所述抛光处理模块还用于根据所述每个施压区域的平均去除速率对所述每个施压区域的抛光压力进行调整，并以调整后的抛光压力对待抛光晶圆进行抛光处理。