[发明专利]一种柔性薄膜晶体管及其制备方法有效
| 申请号： | 201710776518.8 | 申请日： | 2017-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN109427911B | 公开（公告）日： | 2021-12-14 |
| 发明（设计）人： | 来春荣;宗记文 | 申请（专利权）人： | 昆山国显光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京布瑞知识产权代理有限公司 11505 | 代理人： | 孟潭 |
| 地址： | 215300 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 柔性 薄膜晶体管 及其 制备 方法 | ||
1.一种柔性薄膜晶体管，其特征在于，包括：
基板；
有源层，形成在所述基板上方；
栅极，形成在所述有源层上方；
有机绝缘层，形成在所述栅极上方，且位于所述柔性薄膜晶体管的源极远离所述栅极的表面与所述栅极之间，其中，所述有机绝缘层还掺杂有无机材料以提高所述有机绝缘层的绝缘性，所述无机材料包括氧化硅和/或氮化硅；
栅极绝缘层，形成在所述有源层与所述栅极之间。
2.根据权利要求1所述的柔性薄膜晶体管，其特征在于，还包括：
无机绝缘层，形成在所述有机绝缘层上。
3.根据权利要求1或2所述的柔性薄膜晶体管，其特征在于，所述有机绝缘层的材料为有机胶或聚酰亚胺。
4.根据权利要求2所述的柔性薄膜晶体管，其特征在于，所述无机绝缘层的厚度在45nm至55nm范围内。
5.根据权利要求4所述的柔性薄膜晶体管，其特征在于，所述无机绝缘层的厚度为50nm。
6.根据权利要求1所述的柔性薄膜晶体管，其特征在于，所述有机绝缘层的厚度在300nm至450nm范围内。
7.根据权利要求6所述的柔性薄膜晶体管，其特征在于，所述有机绝缘层的厚度为350nm。
8.根据权利要求1所述的柔性薄膜晶体管，其特征在于，还包括：
缓冲层，形成在所述基板与所述有源层之间；以及
电容绝缘层，形成在所述栅极与所述有机绝缘层之间。
9.一种柔性薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括：
在基板上方形成有源层；
在所述有源层上方形成栅极绝缘层，在所述栅极绝缘层上形成栅极；
在所述栅极上方形成有机绝缘层，所述有机绝缘层位于所述柔性薄膜晶体管的源极远离所述栅极的表面与所述栅极之间，所述有机绝缘层还掺杂有无机材料以提高所述有机绝缘层的绝缘性，所述无机材料包括氧化硅和/或氮化硅。
10.根据权利要求9所述的柔性薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，还包括：
在所述有机绝缘层上形成无机绝缘层。
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