[发明专利]一种柔性薄膜晶体管及其制备方法有效
申请号: | 201710776518.8 | 申请日: | 2017-08-31 |
公开(公告)号: | CN109427911B | 公开(公告)日: | 2021-12-14 |
发明(设计)人: | 来春荣;宗记文 | 申请(专利权)人: | 昆山国显光电有限公司 |
主分类号: | H01L29/786 | 分类号: | H01L29/786;H01L29/423;H01L21/336 |
代理公司: | 北京布瑞知识产权代理有限公司 11505 | 代理人: | 孟潭 |
地址: | 215300 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 柔性 薄膜晶体管 及其 制备 方法 | ||
本发明公开了一种柔性薄膜晶体管及其制备方法。该柔性薄膜晶体管包括:基板;有源层,形成在基板上方;栅极,形成在有源层上方;以及有机绝缘层,形成在栅极上方。本发明减小了层间介电层的应力,降低了层间介电层的整体厚度,进而提升柔性显示屏的可弯折程度。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种柔性薄膜晶体管(Thin FilmTransistor,TFT)及其制备方法。
背景技术
随着柔性显示技术的发展,显示屏已经可以制作成可弯曲、可折叠、可卷起的形式。可变型、可弯折的柔性显示屏能够给用户带来颠覆性的使用体验。但目前的柔性显示技术还不够成熟,可弯折仍是技术难点。这是因为柔性显示屏的像素区的无机绝缘层较多,且无机绝缘层的厚度较厚,使得在柔性显示屏发生形变时会产生较大应力,直接影响了柔性显示屏的可弯折程度,进而造成显示不良。
图1是现有技术的薄膜晶体管的结构示意图。如图1所示,该薄膜晶体管包括:基板100、形成在基板100上的缓冲层101、形成在缓冲层101上的有源层102、形成在缓冲层101上且与有源层102电连接的源极108和漏极109、形成在有源层102上的栅极绝缘层103、形成在栅极绝缘层103上的栅极104、形成在栅极104上的电容绝缘层105、以及依次形成在电容绝缘层105上的第一层间介电层106和第二层间介电层107。栅极绝缘层103和电容绝缘层105的厚度分别为120nm,第一层间介电层106和第二层间介电层107的整体厚度约为500nm。
由于现有技术中第一层间介电层106和第二层间介电层107主要用于层间绝缘,且二者的整体厚度比其他绝缘层的厚度更厚,因此,在一定程度上影响了薄膜晶体管的可弯折程度。另外,栅极绝缘层103、电容绝缘层105、第一层间介电层106和第二层间介电层107均为无机绝缘层,其材料为弹性和柔韧性相对差的无机材料,因此,在一定程度上也影响了薄膜晶体管的可弯折程度。
发明内容
有鉴于此,本发明实施例提供了一种柔性薄膜晶体管及其制备方法,用于提升柔性显示屏的可弯折程度。
本发明的一个方面提供一种柔性薄膜晶体管,包括:基板;有源层,形成在基板上方;栅极,形成在有源层上方;以及有机绝缘层,形成在栅极上方。
在本发明的一个实施例中,该柔性薄膜晶体管还包括:无机绝缘层,形成在有机绝缘层上。
在本发明的一个实施例中,有机绝缘层的材料为有机胶或聚酰亚胺。
在本发明的一个实施例中,有机绝缘层还掺杂有无机材料。
在本发明的一个实施例中,无机绝缘层的厚度在45nm至55nm范围内。
在本发明的一个实施例中,无机绝缘层的厚度为50nm。
在本发明的一个实施例中,有机绝缘层的厚度在300nm至450nm范围内。
在本发明的一个实施例中,有机绝缘层的厚度为350nm。
在本发明的一个实施例中,该柔性薄膜晶体管还包括:缓冲层,形成在基板与有源层之间;栅极绝缘层,形成在有源层与栅极之间;以及电容绝缘层,形成在栅极与有机绝缘层之间。
本发明的另一个方面提供一种柔性薄膜晶体管的制备方法,包括:在基板上方形成有源层;在有源层上方形成栅极;以及在栅极上方形成有机绝缘层。
在本发明的一个实施例中,该柔性薄膜晶体管的制备方法还包括:在有机绝缘层上形成无机绝缘层。
根据本发明实施例提供的技术方案,通过采用有机绝缘层替代现有技术的层间介电层,减小了层间介电层的应力,降低了层间介电层的整体厚度,进而提升了柔性显示屏的可弯折程度。
应当理解的是,以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的,并不能限制本发明。
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