[发明专利]快速制备金纳米柱的方法

权利要求书

1.快速制备金纳米柱的方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤一：清洗Si片，并在Si片表面镀金；

将Si片依次置于丙酮、无水乙醇、去离子水中超声清洗，洗耳球吹干,先镀一层5nm厚的铬，再镀一层厚度为60nm的金；

步骤二：用电子束曝光技术或者激光干涉光刻技术在镀金后的Si片上制备不同直径的纳米孔阵列；

步骤三：制备金纳米柱；

a、将步骤二中带有纳米孔阵列的镀金Si片固定在烧杯中；

b、向烧杯中注入氯金酸溶液，用磁力搅拌器搅拌，加热至沸腾，然后迅速加入一定量的柠檬酸钠溶液，共同加热煮沸10min，停止加热后继续搅拌15min，搅拌结束后冷却至室温；

c、取出步骤b中的基底，并在室温下静置晾干，即可得到受纳米孔结构制约的、排列规整的金纳米柱。

2.根据权利要求1所述的快速制备金纳米柱的方法，其特征在于，在步骤二中选择电子束曝光技术在镀金后的Si片上制备不同直径的纳米孔阵列具体操作步骤为：

a、在镀金的Si片上旋涂电子抗蚀剂，然后进行前烘；

b、使用电子束曝光设备在此电子抗蚀剂上进行曝光，显影后得到不同直径的纳米孔阵列；

使用电子束曝光设备上的DesignCAD21软件绘制出直径不同的的多组阵列图案，并生成run file文件；在加速电压为30kV，曝光剂量为140μC/cm²的情况下，在电子抗蚀剂上进行曝光，显影后得到不同直径的纳米孔阵列。

3.根据权利要求1所述的快速制备金纳米柱的方法，其特征在于，在步骤二中选择用激光干涉光刻技术在镀金后的Si片上制备不同直径的纳米孔阵列具体操作步骤为：

a、在镀金的Si片上旋涂一层光刻胶，然后进行前烘；

b、搭建多光束激光干涉系统，在光刻胶上制备不同直径的纳米孔阵列；

使用波长为355nm的高功率固体激光器、高反镜、分光镜、半波片和偏振片搭建多光束激光干涉系统，设定曝光时间和曝光能量，在光刻胶上进行曝光，通过调节空间角、入射角、偏振角、干涉光强和曝光时间等参数，显影后可得到不同直径的纳米孔阵列。

4.根据权利要求1所述的快速制备金纳米柱的方法，其特征在于，在步骤三中将带有纳米孔阵列的镀金Si片固定在烧杯中具体为：使用双面胶将带有纳米孔阵列的镀金Si片正面朝上粘贴在L型塑料棒或者玻璃棒的底端，再将塑料棒或者玻璃棒粘贴在烧杯内壁上，带有纳米孔阵列的镀金Si片的上表面低于随后加入的由去离子水、氯金酸和柠檬酸钠组成的反应溶液的液面高度。

5.根据权利要求1所述的快速制备金纳米柱的方法，其特征在于，步骤二中不同直径的纳米孔阵列，具体为：直径为800nm，600nm和400nm，周期为2µ m。