[发明专利]显示装置及其制造方法有效
申请号: | 201710778238.0 | 申请日: | 2017-09-01 |
公开(公告)号: | CN107799535B | 公开(公告)日: | 2023-09-12 |
发明(设计)人: | 金宰范;金亿洙;孙暻锡;林俊亨;林志勋 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H10K59/12;H10K59/121;G09G3/3225 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 刘灿强;田野 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示装置 及其 制造 方法 | ||
提供一种显示装置及其制造方法,所述显示装置包括基体基底、第一晶体管、第二晶体管、有机发光二极管和电连接到第一晶体管的电容器。第一晶体管包括位于第一层间绝缘层下方的第一半导体图案和位于第一层间绝缘层上方并位于第二层间绝缘层下方的第一控制电极。第二晶体管包括位于第一层间绝缘层上方并位于第二层间绝缘层下方的第二控制电极。第二半导体图案位于第二层间绝缘层上方。
技术领域
本发明的示例性实施例涉及一种显示装置,更具体地,涉及一种制造该显示装置的方法。
背景技术
显示装置可以包括多个像素和控制所述多个像素的驱动电路(例如,扫描驱动电路和数据驱动电路)。多个像素中的每个可以包括显示元件和控制显示元件的像素驱动电路。像素驱动电路可以包括彼此有机地连接的多个薄膜晶体管。
扫描驱动电路和/或数据驱动电路可以通过与多个像素相同的工艺来形成。驱动电路可以包括彼此有机地连接的多个薄膜晶体管。
根据驱动时序,可以将不同的偏置电压施加到像素驱动电路中的每个薄膜晶体管的控制电极、输入电极和输出电极。根据驱动时序,可以将不同的偏置电压施加到扫描驱动电路和/或数据驱动电路中的每个薄膜晶体管的控制电极、输入电极和输出电极。
发明内容
本发明的示例性实施例提供一种包括具有增大的导通速度和可靠性的薄膜晶体管的显示装置。
本发明的示例性实施例提供一种制造包括薄膜晶体管的显示装置的方法。
本发明的示例性实施例提供一种包括基体基底和位于基体基底上方的第一晶体管的显示装置。第一薄膜晶体管包括第一输入电极、第一输出电极、位于第一绝缘层下方的第一半导体图案以及位于第一绝缘层上方并位于第二绝缘层下方的第一控制电极。第二晶体管位于基体基底上方。第二晶体管包括第二输入电极、第二输出电极、位于第一绝缘层上方并位于第二绝缘层下方的第二控制电极以及位于第二绝缘层上方的第二半导体图案。至少一个第三绝缘层位于第二绝缘层上方。发光二极管位于所述至少一个第三绝缘层上方。电容器电连接到第一晶体管和第二晶体管中的至少一个。
在本发明的示例性实施例中,第一半导体图案可以包括多晶硅半导体,第二半导体图案可以包括氧化物半导体。
在本发明的示例性实施例中,氧化物半导体可以包括垂直晶体。
在本发明的示例性实施例中,第二输入电极和第二输出电极中的每个可以包括与第二半导体图案直接接触的下部。第二输入电极和第二输出电极中的每个的上部可以设置在所述至少一个第三绝缘层上,并且可以经由穿透所述至少一个第三绝缘层的第一接触孔连接到下部。
在本发明的示例性实施例中,第一输入电极和第一输出电极中的每个可以设置在所述至少一个第三绝缘层上,并且可以经由穿透第一绝缘层、第二绝缘层和所述至少一个第三绝缘层的第二接触孔连接到第一半导体图案。
在本发明的示例性实施例中,电容器可以包括设置在与第一控制电极相同的层上的第一电极和设置在与下部相同的层上的第二电极。第二绝缘层可以设置在第一电极与第二电极之间。
在本发明的示例性实施例中,显示装置可以包括设置在第二电极与第二绝缘层之间的虚设半导体图案。
在本发明的示例性实施例中,虚设半导体图案和第二半导体图案可以包括相同的半导体材料。
在本发明的示例性实施例中,第二输入电极的下部和第二输出电极的下部可以在第二半导体图案上沿第一方向彼此间隔开。第二输入电极的下部和第二输出电极的下部可以在平面上与第二半导体图案的上表面和侧表面直接接触。
在本发明的示例性实施例中,第二输入电极的下部的第一外表面可以基本上与第二半导体图案的第一外表面对齐。第二输出电极的下部的第二外表面可以基本上与第二半导体图案的第二外表面对齐。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的