[发明专利]测试结构及其制造方法

权利要求书

1.一种测试结构的制造方法，其特征在于，包括：

提供顶部晶圆结构，所述顶部晶圆结构包括：顶部晶圆和在所述顶部晶圆的底部彼此间隔开的多个第一焊盘；

提供底部晶圆结构，所述底部晶圆结构包括：底部晶圆和在所述底部晶圆的顶部彼此间隔开的多个第二焊盘，相邻的两个第二焊盘中的至少一个第二焊盘的侧面具有绝缘层，侧面具有绝缘层的第二焊盘具有一个或多个沟槽，所述沟槽的侧壁上具有分隔开的绝缘层；

将所述多个第一焊盘与所述多个第二焊盘通过共晶键合的方式键合，其中每个第一焊盘与一个第二焊盘键合，从而形成多个焊盘。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述沟槽的底部高于所述底部晶圆的顶部。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，每个第二焊盘的侧面均具有绝缘层；

所述提供底部晶圆结构的步骤包括：

提供所述底部晶圆；

在所述底部晶圆上形成焊盘材料层；

对所述焊盘材料层进行图案化，以在焊盘区域形成多个初始第二焊盘；

在所述初始第二焊盘的侧面形成绝缘层；

对所述初始第二焊盘进行刻蚀，以形成所述沟槽，从而形成所述第二焊盘。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，每个第二焊盘的侧面均具有绝缘层；

所述提供底部晶圆结构包括：

提供所述底部晶圆；

在所述底部晶圆上形成焊盘材料层；

对所述焊盘材料层进行图案化，以形成具有所述沟槽的所述第二焊盘；

在所述第二焊盘的侧面以及所述沟槽的侧壁上形成绝缘层。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一焊盘所占所述顶部晶圆的面积小于所述第二焊盘所占所述底部晶圆的面积。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述多个沟槽的延伸方向基本平行。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述绝缘层的材料包括下列中的一种或多种：硅的氧化物、硅的氮化物、硅的氮氧化物。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

所述焊盘包括两种金属元素；或

所述焊盘包括金属元素和半导体元素。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述顶部晶圆和所述底部晶圆中的一个中形成有微机电系统传感器。

10.一种测试结构，其特征在于，包括：

顶部晶圆和在所述顶部晶圆的底部彼此间隔开的多个第一焊盘；

底部晶圆和在所述底部晶圆的顶部彼此间隔开的多个第二焊盘，位于所述顶部晶圆下方；和

多个焊盘，用于连接所述顶部晶圆和所述底部晶圆，所述焊盘包括通过共晶键合的方式键合的第一焊盘和第二焊盘；

其中，相邻的两个焊盘中的至少一个焊盘的侧面具有绝缘层，侧面具有绝缘层的焊盘的第二焊盘具有一个或多个沟槽，所述沟槽的侧壁上具有分隔开的绝缘层。

11.根据权利要求10所述的测试结构，其特征在于，焊盘中嵌入的绝缘层的底部高于所述底部晶圆的顶部。

12.根据权利要求10所述的测试结构，其特征在于，所述绝缘层的材料包括下列中的一种或多种：硅的氧化物、硅的氮化物、硅的氮氧化物。

13.根据权利要求10所述的测试结构，其特征在于，

所述焊盘包括两种金属元素；或

所述焊盘包括金属元素和半导体元素。

14.根据权利要求10所述的测试结构，其特征在于，所述顶部晶圆和所述底部晶圆中的一个中形成有微机电系统传感器。