[发明专利]一种阵列基板及其制作方法、显示装置在审
申请号: | 201710778806.7 | 申请日: | 2017-08-31 |
公开(公告)号: | CN107527894A | 公开(公告)日: | 2017-12-29 |
发明(设计)人: | 徐元杰;高山 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L23/58 | 分类号: | H01L23/58;H01L27/12;H01L21/84 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 阵列 及其 制作方法 显示装置 | ||
1.一种阵列基板,包括显示区域以及所述显示区域以外的走线区域,其特征在于,所述阵列基板包括衬底基板,在所述衬底基板上依次设置第一导电层、第一绝缘层、第二导电层、第二绝缘层和位于所述走线区域的屏蔽层,所述第一导电层包括所述走线区域的第一信号线引线,所述第二导电层包括位于所述走线区域的第二信号线引线,所述第一信号线引线与所述第二信号线引线的正投影不重叠;
所述第一信号线引线到所述屏蔽层的垂直距离与所述第二信号线引线到所述屏蔽层的垂直距离之间的差值小于所述第一绝缘层的厚度。
2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述第一信号线引线到所述屏蔽层的垂直距离与所述第二信号线引线到所述屏蔽层的垂直距离相等。
3.根据权利要求1或2所述的阵列基板,其特征在于,所述第二绝缘层包括减薄区域,所述减薄区域至少设置在与所述第一信号线引线的正投影相对应的位置,且不设置在与所述第二信号线引线的正投影相对应的位置。
4.根据权利要求3所述的阵列基板,其特征在于,所述第二绝缘层在所述减薄区域的厚度为0。
5.根据权利要求4所述的阵列基板,其特征在于,还包括设置在所述第二绝缘层与所述第一绝缘层之间且对应所述减薄区域的刻蚀阻止图案。
6.根据权利要求5所述的阵列基板,其特征在于,
所述刻蚀阻止图案为不导电介质,所述第一信号线引线到所述屏蔽层的垂直距离包括所述刻蚀阻止图案的厚度。
7.根据权利要求6所述的阵列基板,其特征在于,所述刻蚀阻止图案与位于所述阵列基板的显示区域内的有源层图案同层同材料。
8.根据权利要求5所述的阵列基板,其特征在于,
所述刻蚀阻止图案为导电材料,所述屏蔽层包含所述刻蚀阻止图案。
9.根据权利要求8所述的阵列基板,其特征在于,所述刻蚀阻止图案与位于所述阵列基板的显示区域内的像素电极图案同层同材料。
10.根据权利要求1或2所述的阵列基板,其特征在于,在所述第二导电层与所述屏蔽层之间还设置有不导电介质层,所述不导电介质层至少设置在与所述第二信号线引线的正投影相对应的位置,且不设置在与所述第一信号线引线的正投影相对应的位置。
11.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求1-10任一项所述的阵列基板。
12.一种阵列基板的制作方法,其特征在于,包括,
在衬底基板上依次形成第一导电层、第一绝缘层、第二导电层;其中,所述第一导电层包括走线区域的第一信号线引线、所述第二导电层包括走线区域的第二信号线引线,所述第一信号线引线与所述第二信号线引线的正投影不重叠;
在衬底基板上,形成覆盖所述第二导电层的绝缘薄膜,并减薄所述绝缘薄膜对应于所述第一信号线引线正投影位置的部分,以得到具有减薄区域的第二绝缘层;
在所述第二绝缘层上形成位于所述走线区域的屏蔽层。
13.根据权利要求12所述的阵列基板的制作方法,其特征在于,还包括:
在所述衬底基板上形成所述第一绝缘层之后,形成覆盖所述第二导电层的绝缘薄膜之前,形成对应所述减薄区域的刻蚀阻止图案。
14.根据权利要求13所述的阵列基板的制作方法,其特征在于,所述形成对应所述减薄区域的刻蚀阻止图案包括:
在衬底基板上形成半导体薄膜,并对所述半导体薄膜构图形成位于所述阵列基板的显示区域内的有源层图案,以及对应所述减薄区域的刻蚀阻止图案;
或者,在衬底基板上形成透明导电薄膜,并对所述透明导电薄膜构图形成位于所述阵列基板的显示区域内的像素电极图案,以及对应所述减薄区域的刻蚀阻止图案。
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