[发明专利]一种制备太阳能电池的扩散工艺有效
| 申请号： | 201710779452.8 | 申请日： | 2017-09-01 |
| 公开（公告）号： | CN107591461B | 公开（公告）日： | 2020-02-14 |
| 发明（设计）人： | 刘志强;费正洪;党继东 | 申请（专利权）人： | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;盐城阿特斯协鑫阳光电力科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/068 |
| 代理公司： | 11332 北京品源专利代理有限公司 | 代理人： | 胡彬 |
| 地址： | 215129 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 制备 太阳能电池 扩散 工艺 | ||
1.一种制备太阳能电池片的扩散工艺，其特征在于，在不同压力状态下多次扩散，以制备多层PN结结构；
多次扩散过程中，扩散炉内的压力由常压起逐次降低，以使所述多层PN结结构中掺杂元素的浓度逐层增大；
多次扩散过程中，通入的氮气和掺杂元素的流量均逐次减小。
2.如权利要求1所述的扩散工艺，其特征在于，扩散的次数为三次，且三次扩散过程中，扩散炉内的压力依次为900-1100mbar、400-600mbar、40-60mbar。
3.如权利要求2所述的扩散工艺，其特征在于，三次扩散时，通入的氮气的流量依次为7000-9000sccm、1000-3000sccm、100-300sccm，通入的掺杂元素的流量依次为300-500sccm、100-300sccm、90-110sccm。
4.如权利要求3所述的扩散工艺，其特征在于，三次扩散时，通入的氧气的流量依次为300-500sccm、100-300sccm、90-110sccm。
5.如权利要求2所述的扩散工艺，其特征在于，每次扩散的时间为300-500s。
6.如权利要求1所述的扩散工艺，其特征在于，扩散前，将硅片放置于石英舟中，并将石英舟放入扩散炉内，升高扩散炉内的温度至扩散温度，通入氧气，以使硅片表面氧化。
7.如权利要求6所述的扩散工艺，其特征在于，当通入的掺杂元素为磷时，所述扩散温度为780-800℃；当通入的掺杂元素为硼时，所述扩散温度为980-1000℃。
8.如权利要求1所述的扩散工艺，其特征在于，多次扩散完成后，硅片依次经过升温推结和降温退火工序。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
