[发明专利]一种反射件及其膜系结构的制备方法和红外线LED装置

权利要求书

1.一种反射件，用于红外线LED产品，包括本体，本体具有空腔；其特征在于：还包括蒸镀在所述本体的空腔壁面以反射光线的膜系结构，该膜系结构从里到外包括多层膜，且各奇数层的膜均为氧化钽膜，各偶数层的膜均为氧化硅膜或氧化铝膜。

2.根据权利要求1所述的反射件，其特征在于：各膜层的厚度不相同，和/或，所述空腔呈圆台形。

3.根据权利要求1所述的反射件，其特征在于：各奇数层膜的厚度分别为54～450nm，所有奇数层膜的厚度从里到外先渐大后渐小；和/或，各偶数层膜的厚度分别为16～135nm，所有偶数层膜的厚度从里到外先渐大后渐小。

4.根据权利要求1或2或3所述的反射件，其特征在于：所述本体为PPA或PCT材质；所有奇数层膜的总层数和所有偶数层膜的总层数分别为15层，所述膜系结构的总厚度为2500～2600nm。

5.一种反射件膜系结构的制备方法，用于对具有空腔的本体制作反射光线用的膜系结构，其特征在于：包括以下步骤：

1)清洁本体的空腔壁面；

2)加热所述本体，将本体加热到250～300℃，并将本体放在夹具上并置入真空镀膜机中，将真空镀膜机抽真空到(5～9)×10^-4Pa，将离子束流密度设置为180～201μA·cm^-2；

3)蒸镀氧化钽膜，且膜厚度控制在设定值；

4)蒸镀氧化硅膜或氧化铝膜，且膜厚度控制在设定值；

5)重复步骤3)、步骤4)数次，直至镀制完所有膜层，使所述本体的空腔壁面得到由多层膜组成的膜系结构，且各奇数层的膜均为氧化钽膜，各偶数层的膜均为氧化硅膜或氧化铝膜。

6.根据权利要求5所述的反射件膜系结构的制备方法，其特征在于：所述膜系结构的各膜层的厚度不相同。

7.根据权利要求5所述的反射件膜系结构的制备方法，其特征在于：各奇数层膜的厚度分别为54～450nm，所有奇数层膜的厚度从里到外先渐大后渐小；和/或，各偶数层膜的厚度分别为16～135nm，所有偶数层膜的厚度从里到外先渐大后渐小。

8.根据权利要求5-7中任一项所述的反射件膜系结构的制备方法，其特征在于：所述本体为PPA或PCT材质；所有奇数层膜的总层数和所有偶数层膜的总层数分别为15层；所述膜系结构的总厚度为2500～2600nm。

9.一种红外线LED装置，包括基板、设置在该基板上的红外线LED芯片，其特征在于：还包括如权利要求1-4中任一项所述的反射件，该反射件设置在基板上，所述红外线LED芯片位于反射件的空腔内。

10.根据权利要求9所述的红外线LED装置，其特征在于：所述基板包括第一基底、第二基底和绝缘件，绝缘件设置在第一基底和第二基底之间，以对二者进行隔离；第一基底和第二基底上分别设有金属镀层，与所述红外线LED芯片的两个电极一一电连接。