[发明专利]覆铜板及其制造方法

权利要求书

1.一种采用离子注入法制造覆铜板的方法，包括：

提供由绝缘材料构成的基材并对所述基材进行前处理；

通过离子注入在所述基材上注入第一金属离子，以在所述基材的表面以内一定深度范围形成离子注入层；

对经过所述离子注入的基材进行等离子体沉积，以在所述离子注入层上沉积第二金属离子来形成第一等离子体沉积层；

进行等离子体沉积以在所述第一等离子体沉积层上沉积第三金属离子来形成第二等离子体沉积层以制得覆铜板；

在所述第二等离子体沉积层上镀覆加厚铜层来制得所述覆铜板；

其中，所述方法还包括：

通过控制沉积所述第二金属离子和所述第三金属离子的能量，在所述第一等离子体沉积层和所述第二等离子体沉积层的界面处形成厚度为5-50纳米的合金层；

其中，控制沉积所述第三金属离子的能量达到200-500eV以形成所述合金层；

其中，所述第一金属离子、所述第二金属离子以及所述第三金属离子分别由包括Ti、Cr、Ni、Cu、Ag、Au、V、Zr、Mo、Nb以及它们之间的合金中的一种或多种构成；以及

其中，所述第一等离子体沉积层的厚度为10-50纳米，以及所述第二等离子体沉积层的厚度为100-200纳米。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述前处理包括对所述基材进行表面清洁处理、表面沉积处理和/或表面脱水处理。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述表面清洁处理包括对所述基材进行霍尔源处理，所述表面沉积处理包括对所述基材进行沉积二氧化硅封孔剂处理。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述基材为刚性板材或挠性板材，所述刚性板材包括有机高分子刚性板、陶瓷板、玻璃板中的一种或多种，其中所述有机高分子刚性板包括LCP、PTFE、CTFE、FEP、PPE、合成橡胶板、玻纤布/陶瓷填料增强板中的一种或多种，所述挠性板材为有机高分子薄膜，其包括PI、PTO、PC、PSU、PES、PPS、PS、PE、PP、PEI、PTFE、PEEK、PA、PET、PEN、LCP或PPA中的一种或多种。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述离子注入的步骤中注入的所述第一金属离子的能量为5-1000keV。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：当所述基材为PI膜基材时，在所述离子注入的步骤中，控制注入剂量为1.0×10¹⁴-5.0×10¹⁶ions/cm²和注入深度为20-200纳米以使得所述基材获得最佳的耐离子迁移性能。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：当所述基材为FR-4基材时，在所述离子注入的步骤中，控制注入剂量为5.0×10¹⁴-8.0×10¹⁶ions/cm²和注入深度为10-80纳米以使得所述基材获得最佳的耐离子迁移性能。

8.一种采用PI膜基材通过束线式离子注入法制作挠性覆铜板的方法，包括：

提供PI膜基材并对所述PI膜基材进行前处理；

采用镍靶材利用金属蒸汽真空电弧离子源对所述PI膜基材进行束线式离子注入以得到镍离子注入层；

采用镍靶材利用真空阴极弧磁过滤离子源对所述PI膜基材进行等离子体沉积以在所述镍离子注入层上沉积镍等离子体沉积层；

采用铜靶材进行真空阴极弧磁过滤等离子体沉积来在所述镍等离子体沉积层上沉积铜等离子体沉积层以制得覆铜板；

其中，所述方法还包括：

通过控制沉积镍金属离子和铜金属离子的能量，在所述铜等离子体沉积层和所述镍等离子体沉积层的界面处形成厚度为5-50nm的铜-镍合金层；

其中，控制沉积所述铜金属离子的能量达到200-500eV以形成所述铜-镍合金层；以及

其中，所述镍等离子体沉积层的厚度为10-50纳米，以及所述铜等离子体沉积层的厚度为100-200纳米。